GD75HFX170C1S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

150

A

PD

Maksimum POWER Dissipasi @ T vj =175o C

539

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

75

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

150

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=75A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=75A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

8.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.22

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=75A, R G=6.8Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =60nH ,T vj =25o C

237

n

t r

Waktu naik

59

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

314

n

t f

Waktu musim gugur

361

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

25.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

9.5

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=75A, R G=6.8Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =60nH ,T vj =125o C

254

n

t r

Waktu naik

70

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

383

n

t f

Waktu musim gugur

524

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

33.3

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

15.1

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=75A, R G=6.8Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =60nH ,T vj =150o C

257

n

t r

Waktu naik

75

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

396

n

t f

Waktu musim gugur

588

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

36.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

16.6

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

58

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

7.2

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

64

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

15.8

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

64

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

18.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.65

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

150

g