GD75HFX170C1S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

136

75

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

150

A

P P

Maksimum Daya Dissipasi @ T vj = 175 o C

539

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

75

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

150

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =75A,V GE = 15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

Saya C =75A,V GE = 15V, T vj =125 o C

2.25

Saya C =75A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

8.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.22

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =60 nH ,T vj =25 o C

237

n

t r

Waktu naik

59

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

314

n

t f

Waktu musim gugur

361

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

25.0

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

9.5

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =60 nH ,T vj =125 o C

254

n

t r

Waktu naik

70

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

383

n

t f

Waktu musim gugur

524

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

33.3

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

15.1

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =60 nH ,T vj = 150 o C

257

n

t r

Waktu naik

75

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

396

n

t f

Waktu musim gugur

588

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

36.9

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

16.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C ,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =12 5o C

1.90

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =60 nH ,T vj =25 o C

16.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

58

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

7.2

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =60 nH ,T vj =125 o C

30.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

64

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

15.8

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =60 nH ,T vj = 150 o C

31.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

64

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

18.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.65

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

150

g