GD750HFA120C6S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=100o C

750

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1500

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

3125

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

900

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1500

A

IFSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2t- nilai ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2d

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=750A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.55

IC=750A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

85.2

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.45

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=750A,

R G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LD=40nH ,T vj =25o C

238

n

t r

Waktu naik

76

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

622

n

t f

Waktu musim gugur

74

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

68.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

52.8

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=750A, R G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LD=40nH ,T vj =125o C

266

n

t r

Waktu naik

89

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

685

n

t f

Waktu musim gugur

139

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

88.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

67.4

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=750A, R G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LD=40nH ,T vj =175o C

280

n

t r

Waktu naik

95

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

715

n

t f

Waktu musim gugur

166

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

102

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

72.7

mJ

ISC

Data SC

t P≤8μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

t P≤6μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =750A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

IF =750A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, LD=40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

369

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

23.3

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, LD=40nH ,T vj =125o C

120

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

400

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

39.5

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, LD=40nH ,T vj =175o C

151

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

423

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

49.7

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.80

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.048 0.088

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g