GD750HFA120C6S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100 o C

750

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1500

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 o C

3125

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

900

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1500

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj = 150 o C

3104

2472

A

Saya 2t

Saya 2t- nilai ,t p = 10 mS @ T vj =25 o C @ T vj = 150 o C

48174

30554

A 2s

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =750A,V GE = 15V, T vj =25 o C

1.35

1.85

V

Saya C =750A,V GE = 15V, T vj =125 o C

1.55

Saya C =750A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.55

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

85.2

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.45

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =750A,

R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S = 40 nH ,T vj =25 o C

238

n

t r

Waktu naik

76

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

622

n

t f

Waktu musim gugur

74

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

68.0

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

52.8

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S = 40 nH ,T vj =125 o C

266

n

t r

Waktu naik

89

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

685

n

t f

Waktu musim gugur

139

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

88.9

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

67.4

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S = 40 nH ,T vj = 175 o C

280

n

t r

Waktu naik

95

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

715

n

t f

Waktu musim gugur

166

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

102

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

72.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T vj = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =750A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.05

V

Saya F =750A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.65

Saya F =750A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.65

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,T vj =25 o C

79.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

369

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

23.3

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,T vj =125 o C

120

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

400

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

39.5

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,T vj = 175 o C

151

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

423

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

49.7

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.80

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.048 0.088

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g