Pengenalan singkat
Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 800A.
Fitur
- Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
- VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
-
Suhu junction maksimum 175 ℃
- Kasing induktansi rendah
- Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Aplikasi Tipikal
- Kendaraan hibrida dan listrik
- Inverter untuk motor drive
- Catu Daya Tak Terputus
Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Satuan |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
B C |
Arus Pengumpul @ T C =100o C |
750 |
A |
B CM |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
1500 |
A |
P D |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C |
3125 |
S |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Satuan |
V RRM |
Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia |
1200 |
V |
B F |
Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental |
900 |
A |
B Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
1500 |
A |
B FSM |
Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C |
3104
2472
|
A |
B 2t |
B 2t- nilai ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C |
48174
30554
|
A 2s |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Satuan |
T vjmax |
Suhu Junction Maksimum |
175 |
o C |
T vjop |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit |
4000 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Satuan |
|
V CE(sat)
|
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh
|
B C =750A,V GE = 15V, T vj =25o C |
|
1.35 |
1.85 |
V
|
B C =750A,V GE = 15V, T vj =125o C |
|
1.55 |
|
B C =750A,V GE = 15V, T vj =175o C |
|
1.55 |
|
V GE (th) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
B C =24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
B CES |
Kolektor Memotong -MATI Saat ini |
V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
B GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini |
V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Batang Gint |
Resistensi Gerbang Dalam |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V |
|
85.2 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
0.45 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =-15…+15V |
|
6.15 |
|
μC |
t d (pada ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =750A,
Batang G =0.5Ω,
V GE =-8V/+15V,
L S =40nH ,T vj =25o C
|
|
238 |
|
n |
t batang |
Waktu naik |
|
76 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
622 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
74 |
|
n |
E pada |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
68.0 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
52.8 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =750A, Batang G =0.5Ω,
V GE =-8V/+15V,
L S =40nH ,T vj =125o C
|
|
266 |
|
n |
t batang |
Waktu naik |
|
89 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
685 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
139 |
|
n |
E pada |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
88.9 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
67.4 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =750A, Batang G =0.5Ω,
V GE =-8V/+15V,
L S =40nH ,T vj =175o C
|
|
280 |
|
n |
t batang |
Waktu naik |
|
95 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
715 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
166 |
|
n |
E pada |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
102 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
72.7 |
|
mJ |
|
B SC
|
Data SC
|
t P ≤8μs, V GE = 15V,
T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2500
|
|
A
|
|
t P ≤6μs, V GE = 15V,
T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju Tegangan |
B F =750A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
B F =750A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.65 |
|
B F =750A,V GE =0V,T vj =175o C |
|
1.65 |
|
Q batang |
Muatan yang Dipulihkan |
V Batang =600V,I F =750A,
-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T vj =25o C
|
|
79.7 |
|
μC |
B RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
369 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
23.3 |
|
mJ |
Q batang |
Muatan yang Dipulihkan |
V Batang =600V,I F =750A,
-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T vj =125o C
|
|
120 |
|
μC |
B RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
400 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
39.5 |
|
mJ |
Q batang |
Muatan yang Dipulihkan |
V Batang =600V,I F =750A,
-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T vj =175o C
|
|
151 |
|
μC |
B RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
423 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
49.7 |
|
mJ |
NTC Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Satuan |
Batang 25 |
Rentang Rating |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Penyimpangan dari Batang 100 |
T C =100 o C r 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Daya
Dissipasi
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
Batang 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
Batang 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
Batang 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Satuan |
L CE |
Induktansi Sisa |
|
20 |
|
nH |
Batang CC+EE |
Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip |
|
0.80 |
|
mΩ |
Batang thJC |
Perpaduan -terhadap -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium) |
|
|
0.048 0.088 |
K/W |
|
Batang thCH
|
Kasus -terhadap -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul) |
|
0.028 0.051 0.009 |
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
350 |
|
g |
EN
