GD650HFX170P1S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=650A,V GE = 15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=650A,V GE = 15V, T j =125o C

2.35

IC=650A,V GE = 15V, T j =150o C

2.45

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.3

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

72.3

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.75

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

5.66

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE = ± 15V,T j =25o C

468

n

t r

Waktu naik

86

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

850

n

t f

Waktu musim gugur

363

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

226

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

161

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE = ± 15V,T j = 125o C

480

n

t r

Waktu naik

110

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

1031

n

t f

Waktu musim gugur

600

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

338

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

226

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE = ± 15V,T j = 150o C

480

n

t r

Waktu naik

120

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

1040

n

t f

Waktu musim gugur

684

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

368

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

242

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

2600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =650A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =650A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

IF =650A,V GE =0V,T j = 150o C

2.02

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

176

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

765

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

87.4

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

292

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

798

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

159

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

341

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

805

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

192

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

δR/R

Penyimpangan dari R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K