Pengantar singkat pengakuan
Modul IGBT , diproduksi oleh StarPower. 1700V 650A
Fitur
-
V rendah CE (sat ) Lubang IGBT tEKNOLOGI
-
10 μs kapasitas sirkuit pendek keadilan
-
V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
-
Maksimum suhu persimpangan 175o C
-
Diode yang diperbesar untuk regeneratif operasi
- Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
-
Kekuatan tinggi dan siklus termal mampu ini
Tipikal Aplikasi
- Konverter Daya Tinggi
- Energi Angin dan Surya
- Penggerak Traksi
Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak catatan
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1700 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
1073
650
|
A |
Saya CM |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
1300 |
A |
P P |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C |
4.2 |
kW |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Tegangan Balik Puncak Berulang |
1700 |
V |
Saya F |
Diode terus menerus ke depan Cur =0V, |
650 |
A |
Saya Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
1300 |
A |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Junction Maksimum |
175 |
o C |
T jopp |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Suhu penyimpanan Rentang |
-40 hingga +150 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit |
4000 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Kolektor ke Emitor
Tegangan Jenuh
|
Saya C =650A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.90 |
2.35 |
V
|
Saya C =650A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
2.35 |
|
Saya C =650A,V GE = 15V, T j =150o C |
|
2.45 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potong -MATI
Arus
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam keturunan |
|
|
2.3 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
72.3 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik
Kapasitansi
|
|
1.75 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =- 15…+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE = ± 15V,T j =25o C
|
|
468 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
86 |
|
n |
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
850 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
363 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
226 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
161 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE = ± 15V,T j = 125o C
|
|
480 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
110 |
|
n |
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
1031 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
600 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
338 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
226 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE = ± 15V,T j = 150o C
|
|
480 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
120 |
|
n |
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
1040 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
684 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih
Kerugian
|
|
368 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan
Kerugian
|
|
242 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤ 10μs,V GE = 15V,
T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V
|
|
2600
|
|
A
|
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju
Tegangan
|
Saya F =650A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Saya F =650A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
Saya F =650A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
2.02 |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R = 900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
176 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
765 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
87.4 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R = 900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C
|
|
292 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
798 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
159 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R = 900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C
|
|
341 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
805 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
192 |
|
mJ |
NTC Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
R 25 |
Rentang Rating |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Penyimpangan dari R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Daya
Dissipasi
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
L CE |
Induktansi Sisa |
|
18 |
|
nH |
R CC+EE |
Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip |
|
0.30 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T)
Hubungan ke kasus (per D) yodium)
|
|
|
35.8
71.3
|
K/kW |
|
R thCH
|
Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)
Kasus-ke-Heatsink (p (diode)
Kasus-ke-Heatsink (per Modul)
|
|
13.5
26.9
4.5
|
|
K/kW |
|
M
|
Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Koneksi Terminal Torsi, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M5 |
1.8
8.0
3.0
|
|
2.1
10.0
6.0
|
N.M
|
G |
Berat dari Modul |
|
810 |
|
g |
EN
