GD600HFX120C2SAD_B20 , Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

Tegangan Gate-Emitter Transient

±20 ±30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

1096

600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

3947

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Arus Maju Kontinu Dioda ent

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

Saya C =600A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.05

Saya C =600A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.15

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.25

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

64.7

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

1.88

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

5.38

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R G =1.5Ω, L S =50nH , V GE = ± 15V,T vj =25o C

314

n

t r

Waktu naik

105

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

527

n

t f

Waktu musim gugur

151

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

63.7

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

53.3

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R G =1.5Ω, L S =50nH , V GE = ± 15V,T vj =125o C

350

n

t r

Waktu naik

117

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

591

n

t f

Waktu musim gugur

315

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

96.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

72.2

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R G =1.5Ω, L S =50nH , V GE = ± 15V,T vj =150o C

359

n

t r

Waktu naik

120

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

604

n

t f

Waktu musim gugur

328

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

105

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

75.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =25o C

1.65

2.10

V

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =25o C

38.6

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

313

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

10.8

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=4440A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =125o C

76.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

368

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

22.5

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=4240A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =150o C

88.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

387

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.42

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.038 0.068

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.031 0.056 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

320

g