GD600HFX120C2SAD_B20 , Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

Tegangan Gate-Emitter Transient

±20 ±30

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

1096

600

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

3947

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Arus Maju Kontinu Dioda ent

600

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=600A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=600A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.05

IC=600A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.15

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.25

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

64.7

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

1.88

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

5.38

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω, LD=50nH , V GE = ± 15V,T vj =25o C

314

n

t r

Waktu naik

105

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

527

n

t f

Waktu musim gugur

151

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

63.7

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

53.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω, LD=50nH , V GE = ± 15V,T vj =125o C

350

n

t r

Waktu naik

117

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

591

n

t f

Waktu musim gugur

315

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

96.5

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

72.2

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω, LD=50nH , V GE = ± 15V,T vj =150o C

359

n

t r

Waktu naik

120

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

604

n

t f

Waktu musim gugur

328

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

105

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

75.6

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =600A,V GE =0V,T vj =25o C

1.65

2.10

V

IF =600A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

IF =600A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=5130A/μs, L D=50nH, V GE =-15V,T vj =25o C

38.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

313

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

10.8

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=4440A/μs, L D=50nH, V GE =-15V,T vj =125o C

76.1

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

368

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

22.5

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=4240A/μs, L D=50nH, V GE =-15V,T vj =150o C

88.9

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

387

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.42

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.038 0.068

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.031 0.056 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

320

g