Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD600HFX120C2SAD_B20 , Modul IGBT, STARPOWER

1200V 600A,Kemasan:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX120C2SAD_B20
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 600A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Plat tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC HPS

Aplikasi Tipikal

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

Tegangan Gate-Emitter Transient

±20 ±30

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

1096

600

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

3947

S

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

B F

Arus Maju Kontinu Dioda ent

600

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C =600A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

B C =600A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.05

B C =600A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.15

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.25

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

64.7

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

1.88

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

5.38

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, Batang G =1.5Ω, L S =50nH , V GE = ± 15V,T vj =25o C

314

n

t batang

Waktu naik

105

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

527

n

t f

Waktu musim gugur

151

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

63.7

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

53.3

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, Batang G =1.5Ω, L S =50nH , V GE = ± 15V,T vj =125o C

350

n

t batang

Waktu naik

117

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

591

n

t f

Waktu musim gugur

315

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

96.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

72.2

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, Batang G =1.5Ω, L S =50nH , V GE = ± 15V,T vj =150o C

359

n

t batang

Waktu naik

120

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

604

n

t f

Waktu musim gugur

328

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

105

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

75.6

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju Tegangan

B F =600A,V GE =0V,T vj =25o C

1.65

2.10

V

B F =600A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

B F =600A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =600A,

-di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =25o C

38.6

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

313

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

10.8

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =600A,

-di/dt=4440A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =125o C

76.1

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

368

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

22.5

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =600A,

-di/dt=4240A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =150o C

88.9

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

387

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.2

mJ

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.42

Batang thJC

Perpaduan -terhadap -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.038 0.068

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.031 0.056 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

320

g

Rangka kerja

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000