GD300HFX170C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

493

300

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

1829

S

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

B F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

600

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C = 300A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

B C = 300A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

B C = 300A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =12.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.88

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A,

Batang Gon = 3,3Ω, Batang Goff = 4,7Ω, L S =66nH,V GE = ± 15V, T j =25o C

265

n

t batang

Waktu naik

94

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

565

n

t f

Waktu musim gugur

326

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

77.6

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

52.8

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A,

Batang Gon = 3,3Ω, Batang Goff = 4,7Ω, L S =66nH,V GE = ± 15V, T j =125o C

302

n

t batang

Waktu naik

104

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

631

n

t f

Waktu musim gugur

521

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

108

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

72.8

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C = 300A,

Batang Gon = 3,3Ω, Batang Goff = 4,7Ω, L S =66nH,V GE = ± 15V, T j =150o C

313

n

t batang

Waktu naik

108

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

645

n

t f

Waktu musim gugur

545

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

119

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

78.4

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C ,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

B F = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

B F = 300A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

B F = 300A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2650A/μs,V GE = 15V L S =66nH ,T j =25o C

56.3

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

228

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

38.4

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2300A/μs,V GE = 15V L S =66nH ,T j =125o C

89.6

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

262

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

60.2

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2250A/μs,V GE = 15V L S =66nH ,T j =150o C

102

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

272

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

69.6

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari Batang 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

1.10

mΩ

Batang thJC

Perpaduan -terhadap -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.082 0.121

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.030 0.045 0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g