Modul IGBT,1200V 225A, Kemasan:C6.1
Pengenalan singkat
Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 225A.
Fitur
Aplikasi Tipikal
Absolute Maksimum Peringkat T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
| Simbol | Deskripsi | Nilai | Unit | 
| V CES | Tegangan kolektor-emitter | 1200 | V | 
| V GES | Tegangan gerbang-emitter | ±20 | V | 
| Saya C | Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =195 o C | 338 225 | A | 
| Saya CM | Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms | 450 | A | 
| P P | Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 o C | 1071 | W | 
Dioda
| Simbol | Deskripsi | Nilai | Unit | 
| V RRM | Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia | 1200 | V | 
| Saya F | Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental | 225 | A | 
| Saya Fm | Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms | 450 | A | 
Modul
| Simbol | Deskripsi | Nilai | Unit | 
| T jmax | Suhu Junction Maksimum | 175 | o C | 
| T jopp | Suhu Junction Operasi | -40 hingga +150 | o C | 
| T STG | Rentang suhu penyimpanan | -40 hingga +125 | o C | 
| V ISO | Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit | 2500 | V | 
IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
| Simbol | Parameter | Kondisi pengujian | Min. | - Tempel. | Maks. | Unit | 
| 
 
 V CE(sat) | 
 
 Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh | Saya C =225A,V GE = 15V, T j =25 o C | 
 | 1.75 | 2.20 | 
 
 V | 
| Saya C =225A,V GE = 15V, T j =125 o C | 
 | 2.00 | 
 | |||
| Saya C =225A,V GE = 15V, T j = 150 o C | 
 | 2.05 | 
 | |||
| V GE (th ) | Ambang Gerbang-Emitor Tegangan | Saya C =8.16 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V | 
| Saya CES | Kolektor Potong -MATI Arus | V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C | 
 | 
 | 1.0 | mA | 
| Saya GES | Kebocoran Gerbang-Emitor Arus | V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C | 
 | 
 | 400 | nA | 
| R Gint | Resistensi Gerbang Dalam keturunan | 
 | 
 | 0.7 | 
 | ω | 
| C ies | Kapasitas input | V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V | 
 | 23.3 | 
 | nF | 
| C res | Transfer Balik Kapasitansi | 
 | 0.65 | 
 | nF | |
| Q G | Biaya gerbang | V GE =-15 ...+15V | 
 | 1.75 | 
 | μC | 
| t p (pADA ) | Waktu penundaan menyala | 
 
 V CC =600V,I C =225A, R G =1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =25 o C | 
 | 136 | 
 | n | 
| t r | Waktu naik | 
 | 34 | 
 | n | |
| t d ((off) | Matikan Waktu tunda | 
 | 372 | 
 | n | |
| t f | Waktu musim gugur | 
 | 69 | 
 | n | |
| E pADA | Nyalakan Beralih Kerugian | 
 | 5.78 | 
 | mJ | |
| E mATI | Switching Matikan Kerugian | 
 | 16.7 | 
 | mJ | |
| t p (pADA ) | Waktu penundaan menyala | 
 
 V CC =600V,I C =225A, R G =1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =125 o C | 
 | 145 | 
 | n | 
| t r | Waktu naik | 
 | 34 | 
 | n | |
| t d ((off) | Matikan Waktu tunda | 
 | 461 | 
 | n | |
| t f | Waktu musim gugur | 
 | 88 | 
 | n | |
| E pADA | Nyalakan Beralih Kerugian | 
 | 10.6 | 
 | mJ | |
| E mATI | Switching Matikan Kerugian | 
 | 26.0 | 
 | mJ | |
| t p (pADA ) | Waktu penundaan menyala | 
 
 V CC =600V,I C =225A, R G =1.6Ω,V GE = ± 15V, T j = 150 o C | 
 | 153 | 
 | n | 
| t r | Waktu naik | 
 | 34 | 
 | n | |
| t d ((off) | Matikan Waktu tunda | 
 | 490 | 
 | n | |
| t f | Waktu musim gugur | 
 | 98 | 
 | n | |
| E pADA | Nyalakan Beralih Kerugian | 
 | 12.8 | 
 | mJ | |
| E mATI | Switching Matikan Kerugian | 
 | 28.9 | 
 | mJ | |
| 
 Saya SC | 
 Data SC | t P ≤ 10 μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V | 
 | 
 900 | 
 | 
 A | 
Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
| Simbol | Parameter | Kondisi pengujian | Min. | - Tempel. | Maks. | Unit | 
| 
 V F | Dioda Maju Tegangan | Saya F =225A,V GE =0V,T j =25 o C | 
 | 1.85 | 2.30 | 
 V | 
| Saya F =225A,V GE =0V,T j =1 25o C | 
 | 1.90 | 
 | |||
| Saya F =225A,V GE =0V,T j =1 50o C | 
 | 1.95 | 
 | |||
| Q r | Muatan yang Dipulihkan | 
 V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, T j =25 o C | 
 | 25.9 | 
 | μC | 
| Saya RM | Puncak Balik Arus pemulihan | 
 | 345 | 
 | A | |
| E rEC | Pemulihan Terbalik Energi | 
 | 11.8 | 
 | mJ | |
| Q r | Muatan yang Dipulihkan | 
 V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, T j =125 o C | 
 | 49.5 | 
 | μC | 
| Saya RM | Puncak Balik Arus pemulihan | 
 | 368 | 
 | A | |
| E rEC | Pemulihan Terbalik Energi | 
 | 21.6 | 
 | mJ | |
| Q r | Muatan yang Dipulihkan | 
 V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, T j = 150 o C | 
 | 56.4 | 
 | μC | 
| Saya RM | Puncak Balik Arus pemulihan | 
 | 391 | 
 | A | |
| E rEC | Pemulihan Terbalik Energi | 
 | 24.5 | 
 | mJ | 
NTC Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
| Simbol | Parameter | Kondisi pengujian | Min. | - Tempel. | Maks. | Unit | 
| R 25 | Rentang Rating | 
 | 
 | 5.0 | 
 | kΩ | 
| ∆R/R | Penyimpangan dari R 100 | T C =100 o C r 100= 493,3Ω | -5 | 
 | 5 | % | 
| P 25 | Daya Dissipasi | 
 | 
 | 
 | 20.0 | mW | 
| B 25/50 | Nilai B | R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))] | 
 | 3375 | 
 | K | 
| B 25/80 | Nilai B | R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))] | 
 | 3411 | 
 | K | 
| B 25/100 | Nilai B | R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))] | 
 | 3433 | 
 | K | 
Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
| Simbol | Parameter | Min. | - Tempel. | Maks. | Unit | 
| L CE | Induktansi Sisa | 
 | 20 | 
 | nH | 
| R CC+EE | Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip | 
 | 1.10 | 
 | mΩ | 
| R thJC | Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium) | 
 | 
 | 0.140 0.203 | K/W | 
| 
 R thCH | Kasus -ke -Heat sink (perIGBT ) Case-to-Heatsink (per Diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul) | 
 | 0.030 0.044 0.009 | 
 | K/W | 
| M | Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5 | 3.0 3.0 | 
 | 6.0 6.0 | N.M | 
| G | Berat dari Modul | 
 | 350 | 
 | g | 


Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda. 
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.