GD225HFX120C6SA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

368

225

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

450

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

1229

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

225

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

450

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=225A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=225A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=225A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=5.63mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.7

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

23.3

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.65

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.75

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=225A, R G=1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

171

n

t r

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

391

n

t f

Waktu musim gugur

72

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

7.3

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

17.5

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=225A, R G=1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =125o C

182

n

t r

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

484

n

t f

Waktu musim gugur

93

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

13.4

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

27.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=225A, R G=1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =150o C

193

n

t r

Waktu naik

43

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

515

n

t f

Waktu musim gugur

103

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

16.1

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

30.4

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

900

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, T j =25o C

25.9

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

345

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

11.8

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, T j =125o C

49.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

368

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

21.6

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15V, T j =150o C

56.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

391

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

24.5

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

1.10

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.122 0.188

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT ) Case-to-Heatsink (per Diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.030 0.046 0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g