GD1200SGX170A3S, 1700 V 1200 A, Modul IGBT,

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

2400

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

8.77

KW

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

1200

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

2400

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=1200A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=1200A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=1200A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=48.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.0

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

145

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

3.51

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 1200A, R G=1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

LD=65nH ,T j =25o C

440

n

t r

Waktu naik

112

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1200

n

t f

Waktu musim gugur

317

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

271

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

295

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 1200A, R G=1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

LD=65nH ,T j =125o C

542

n

t r

Waktu naik

153

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1657

n

t f

Waktu musim gugur

385

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

513

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

347

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 1200A, R G=1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

LD=65nH ,T j =150o C

547

n

t r

Waktu naik

165

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1695

n

t f

Waktu musim gugur

407

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

573

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

389

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

4800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =1200A,V GE =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V, T j =125℃

1.90

IF =1200A,V GE =0V, T j =150℃

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, LD=65nH,T j =25℃

190

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

844

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

192

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, LD=65nH,T j =125℃

327

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

1094

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

263

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, LD=65nH,T j =150℃

368

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

1111

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

275

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

12

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.19

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

17.1 26.2

K/kW

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Terminal Daya Sekrup:M4 Terminal Daya Sekrup:M8 Sekrup Pemasangan:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

G

Berat dari Modul

1050

g