Pengenalan singkat
Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1700V 100A.
Fitur
- Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
- kemampuan hubung singkat 10μs
- VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
-
Suhu junction maksimum 175 ℃
- Kasing induktansi rendah
- Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Aplikasi Tipikal
- Inverter untuk motor drive
- AC dan DC servo drive amplifier
- Catu Daya Tak Terputus
Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1700 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C |
196
100
|
A |
Saya CM |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
200 |
A |
P P |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C |
815 |
W |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia |
1700 |
V |
Saya F |
Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental |
100 |
A |
Saya Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
200 |
A |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T vjmax |
Suhu Junction Maksimum |
175 |
o C |
T vjop |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit |
4000 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh
|
Saya C =100A,V GE = 15V, T vj =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
Saya C =100A,V GE = 15V, T vj =125o C |
|
2.25 |
|
Saya C =100A,V GE = 15V, T vj =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C =4.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potong -MATI Arus |
V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam |
|
|
7.5 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
12.0 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
0.29 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =-15 ...+15V |
|
0.94 |
|
μC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =52nH ,T vj =25o C
|
|
196 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
44 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
298 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
367 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
26.4 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
14.7 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =52nH ,T vj =125o C
|
|
217 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
53 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
361 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
516 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
36.0 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
21.0 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =52nH ,T vj =150o C
|
|
223 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
56 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
374 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
551 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
39.1 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
22.4 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,
T vj =150o C,V CC =1000V,
V CEM ≤ 1700V
|
|
400
|
|
A
|
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju Tegangan |
Saya F =100A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Saya F =100A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.95 |
|
Saya F =100A,V GE =0V,T vj =150o C |
|
1.90 |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R = 900V,I F =100A,
-di/dt=1332A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =52nH ,T vj =25o C
|
|
26.8 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
78 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
14.4 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R = 900V,I F =100A,
-di/dt=1091A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =52nH ,T vj =125o C
|
|
42.3 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
86 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
23.7 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R = 900V,I F =100A,
-di/dt=1060A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =52nH ,T vj =150o C
|
|
48.2 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
89 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
27.4 |
|
mJ |
Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
L CE |
Induktansi Sisa |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris) |
|
|
0.184 0.274 |
K/W |
|
R thCH
|
Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule) |
|
0.060 0.090 0.009 |
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
350 |
|
g |
EN
