GD1000HFX170P2, Modul IGBT, IGBT Setengah Jembatan, STARPOWER

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Nilai

Unit

VCES

Tegangan kolektor-emitter

VGE = 0V, TC = 25 °C

1700

V

VGES

Tegangan gerbang-emitter

TC= 25 °C

± 20

V

Ic

Arus kolektor-emitter

TC = 65 °C

1400

A

IC ((PK)

arus puncak kolektor

Arus puncak kolektor

tP=1ms

2800

A

Pmax

Maks. disipasi daya transistor

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

kW

I2t

Dioda I2t

VR = 0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Visol

Tegangan isolasi - per modul

Terminal yang disatukan ke pelat dasar), AC RMS, 1 menit, 50Hz, TC= 25 °C

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

ICES

Arus pemotongan kolektor

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

mA

IGES

Listrik kebocoran gerbang

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

Tegangan ambang gerbang

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (berada)

Penumpukan kolektor-emitter tegangan

VGE =15V, IC = 1400A

2.00

2.40

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

V

IF

Dioda arus ke depan

DC

1400

A

IFRM

Arus maju puncak dioda

tP = 1ms

2800

A

VF(*1)

Tegangan dioda ke depan

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

V

Isc

Arus sirkuit pendek

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

A

Ces

input kapasitas listrik

Kapasitas input

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

nF

Qg

Biaya gerbang

± 15V

11.7

μC

Cres

Kapasitas transfer terbalik

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

nF

LM

Induktansi modul

10

nH

RINT

Resistensi internal transistor

0.2

mΩ

td (off)

Waktu penundaan pemutus

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

n

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

tF

waktu turun Waktu musim gugur

Tvj= 25 °C

460

n

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

EOFF

Kerugian energi saat mati

Tvj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

td (on)

Waktu penundaan menyala

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

n

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

tr

Waktu naik

Tvj= 25 °C

112

n

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

EON

Kerugian energi saat menyala

Tvj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

Dioda Mundur

biaya pemulihan

IF = 1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

μC

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

Dioda Mundur

arus pemulihan

Tvj= 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erec

Dioda Mundur

energi pemulihan

Tvj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290