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Y50KFE, thyristor à débranchement rapide non symétrique

Y50KFE, thyristor à débranchement rapide non symétrique

La partie n° 1. Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.

Brand:

TECHSEM

Spu:

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Appurtenance:

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Introduction
Le schéma

Introduction

Je T(AV)	1494Une
V. Le groupe DRM	1200V ~ 2000V
V. Le groupe RRM	1000V~ 1800V
t q: Le numéro	15~ 55μs

Caractéristiques

Portes amplificatrices interdigitées
Allumage rapide et haute di/dt
Faibles pertes de commutation

Applications Typiques

Chauffage par induction
Soudeurs électroniques
Inverseurs auto-commutés

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai			Tj(℃ )	Valeur			Unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai			Tj(℃ )	Min	Type	Max	Unité
Les États membres	Courant moyen en état passant	180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,		TC=55℃	125			1494	Une
Les États membres	Courant moyen en état passant	180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,		TC=70℃	125			1243	Une
VDRM	Tension de seuil répétitive	tp = 10 ms			125	1200		2000	V. Le groupe
RRVM	Voltage inverse de pointe répétitif	tp = 10 ms			125	1000		1800	V. Le groupe
Idrm Irrm	Courant de crête répétitif	à VDRM à VRRM			125			80	le nombre de
ITSM	Courant de surtension en état passant	10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM			125			17	kA
I2t	I2t pour coordination de fusion	10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM			125			1445	A2s* 103
VTO	Voltage de seuil				125			1.57	V. Le groupe
rT	Résistance à la pente en état actif				125			0.21	mΩ
VTM	Tension de pointe en état passant	ITM=3000A, F=24kN	15 μs≤tq≤28 μs		25			2.50	V. Le groupe
VTM	Tension de pointe en état passant	ITM=3000A, F=24kN	29 μs≤tq≤55 μs		25			2.10	V. Le groupe
dv/dt	Taux critique d'augmentation de la tension de seuil	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	Taux critique d'augmentation du courant en état actif	VDM= 67%VDRM à 1600A, Impulsion de porte tr ≤0.5μs IGM= 1.5A			125			1500	A/μs
Je suis désolé.	Frais de recouvrement	Les capacités de décharge sont calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil.			125		750		le taux de décharge
tq	Temps d'extinction commuté par circuit	Les capacités de décharge sont calculées en fonction de la fréquence de décharge de l'appareil.			125	15		55	μs
TIG	Courant de déclenchement de porte	VA= 12V, IA= 1A			25	40		300	le nombre de
Vgt	Tension de déclenchement de porte					0.9		3.0	V. Le groupe
Je suis	Courant de maintien					20		500	le nombre de
IL	Courant de verrouillage							1000	le nombre de
VGD	Tension de porte non déclenchée	VDM=67%VDRM			125			0.3	V. Le groupe
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	À 1800 sinus, double côté refroidi Force de serrage 24kN						0.020	。C /W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur	À 1800 sinus, double côté refroidi Force de serrage 24kN						0.005	。C /W
FM	Force de montage					19		26	kN
Tvj	Température de jonction					-40		125	℃
TSTG	Température de stockage					-40		140	℃
Wt	Poids						440		g
Le schéma	KT50cT