GD400HFF120C2S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C

@ T C =90o C

620

400

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

800

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T =175o C

2272

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

E F

Diode à dérive continue le loyer

400

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

800

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

E C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.90

2.35

V

E C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125o C

2.40

E C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.55

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C = 10.0mA,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.9

oh

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C = 400A, Barre G = 0,38Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

1496

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

200

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

1304

n.S.

t f

Temps d'automne

816

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

27.6

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

20.8

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C = 400A, Barre G = 0,38Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

1676

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

252

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

1532

n.S.

t f

Temps d'automne

872

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

41.6

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

23.6

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C = 400A, Barre G = 0,38Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

1676

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

260

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

1552

n.S.

t f

Temps d'automne

888

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

46.0

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

24.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

E F = 400 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

E F = 400 A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.90

E F = 400 A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.90

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

20.4

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

180

A

E réc

Récupération Énergie

6.8

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 125o C

52.4

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

264

A

E réc

Récupération Énergie

19.5

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 150o C

60.8

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

284

A

E réc

Récupération Énergie

22.6

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

15

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.25

mΩ

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.066

0.093

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.034

0.048

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g