GD1000HFA120C6S_B39,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté rente

1000

Une

Je C

Courant collecteur @ T F =75 o C

765

Une

Je CRM

Répétitif Picote Le collecteur Actuel tp limité par T vjop

2000

Une

P D

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75 o C ,T j = 175 o C

1515

Le

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je FN

Collecteur Cu implémenté rente

1000

Une

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

765

Une

Je MFN

Répétitif Picote Avant Actuel tp limité par T vjop

2000

Une

Je Le FSM

Courant de pointe p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj = 150 o C

4100

3000

Une

Je 2t

Je 2t- valeur ,t p =10 mS @ T vj = 25 o C @ T vj = 150 o C

84000

45000

Une 2s

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

4000

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =1000A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 25 o C

1.45

1.90

V. Le groupe

Je C =1000A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 125 o C

1.65

Je C =1000A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 175 o C

1.80

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =24.0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T vj = 25 o C

5.5

6.3

7.0

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T vj = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.5

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

51.5

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.36

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V

13.6

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =900A,

R G =0.51Ω, L S =40nH, V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

T vj = 25 o C

330

n.S.

t r

Il est temps de monter.

140

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

842

n.S.

t f

Temps d'automne

84

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

144

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

87.8

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =900A,

R G =0.51Ω, L S =40nH, V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

T vj = 125 o C

373

n.S.

t r

Il est temps de monter.

155

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

915

n.S.

t f

Temps d'automne

135

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

186

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

104

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =900A,

R G =0.51Ω, L S =40nH, V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

T vj = 175 o C

390

n.S.

t r

Il est temps de monter.

172

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

950

n.S.

t f

Temps d'automne

162

n.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

209

je suis désolé.

E. Je suis désolé. éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

114

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤8μs,V Généralement générés = 15 V,

T vj = 150 o C,V CC =800V,

V. Le groupe MEC ≤ les autres

3200

Une

t P ≤6μs,V Généralement générés = 15 V,

T vj = 175 o C,V CC =800V,

V. Le groupe MEC ≤ les autres

3000

Une

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =1000A,V Généralement générés =0V,T vj = 25 o C

1.60

2.05

V. Le groupe

Je F =1000A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C

1.70

Je F =1000A,V Généralement générés =0V,T vj = 175 o C

1.60

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V Généralement générés =-8V, L S =40 nH ,T vj = 25 o C

91.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

441

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

26.3

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V Généralement générés =-8V, L S =40 nH ,

T vj = 125 o C

141

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

493

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

42.5

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V Généralement générés =-8V, L S =40 nH ,

T vj = 175 o C

174

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

536

Une

E. Je suis désolé. réc

Récupération Énergie

52.4

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC + EE ’

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.80

mΩ

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Fluide (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.066 0.092

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

400

g

P

Pression maximale dans circuit de refroidissement

3

bar

∆p

Chute de pression de refroidissement Cir cuit

∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F = 25 o C;Refroidissement Fluide=50% Eau/50% Éthylène Glycol

47

mbar