T65ZPR, Diode redresseuse

Je _T(AV)

4380Une

V. Le groupe _RRM

5200V 5600V

6000V 6500V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

Valeur

Unité

Min

Type

Max

IF(AV)

Courant direct moyen

180。onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC= 100 ℃

150

1510

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

5600

6500

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

À VRRM

150

150

le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

150

26

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

3380

Une ²s* 10 ³

VFO

Voltage de seuil

150

0.92

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.39

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=3000A, F=34kN

25

1.85

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

IFM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

150

5000

le taux de décharge

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 34kN

0.014

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

0.0035

FM

Force de montage

27

34

kN

Tvj

Température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

820/ 1100

g

Le schéma

ZT60cT / ZT60dT