Introduction brève
Modules de diodes à récupération rapide , MZ x30 0,Refroidissement par air ,produit par TECHSEM.
RRVM |
Type & Contour |
600V
800V
1000V
les autres
1400V
1600V
1800V
1800V
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MZx400-06-406F3
MZx400-08-406F3
MZx400-10-406F3
MZx400-12-406F3
MZx400-14-406F3
MZx400-16-406F3
MZx400-18-406F3
MZx400-18-406F3G
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Caractéristiques :
- Base de montage isolée 3000V~
-
Technologie de contact sous pression avec Capacité de cyclage de puissance accrue
- Économie d'espace et de poids
Applications Typiques :
- Invertisseur
- Chauffage par induction
- Hachoir
Le symbole
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Caractéristique
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Conditions d'essai
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Tj( ℃ ) |
Valeur |
Unité
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Min |
Type |
Max |
IF(AV) |
Courant direct moyen |
180° onde sinusoïdale demi 50Hz Refroidi par un seul côté,TC=60 ℃ |
150
|
|
|
400 |
A |
IF (RMS) |
Courant direct RMS |
|
|
628 |
A |
RSI |
Courant de crête répétitif |
à VRRM |
150 |
|
|
70 |
le nombre de |
MFI |
Courant de surtension avant |
10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM |
150
|
|
|
8.30 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
344 |
A 2s*103 |
VFO |
Voltage de seuil |
|
150
|
|
|
1.0 |
V. Le groupe |
rF |
Résistance de pente directe |
|
|
0.85 |
m |
VFM |
Tension directe de crête |
IFM= 1200A |
25 |
|
|
2.1 |
V. Le groupe |
le |
Temps de récupération inverse |
IFM=300A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V |
150 |
|
4.0 |
|
μs |
25 |
|
2.0 |
|
μs |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.130 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.040 |
℃ /W |
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V. Le groupe |
FM
|
Couple de connexion des bornes (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N m |
Couple de montage (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N m |
Tvj |
Température de jonction |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Poids |
|
|
|
1580 |
|
g |
Le schéma |
406F3 |