GD800HFA120C2S_B20 ,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

Voltage transitoire de l'émetteur de la porte

±20 ±30

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C@ T C=95o C

1280

800

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1600

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

3191

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Courant continu en avant du diode ent

800

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1600

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.30

1.75

V

IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

1.45

IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

1.50

IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.55

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=32.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

0.38

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

156

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

1.10

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-8... +15V

10.3

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 800A, R G=1.2Ω,

V Généralement générés =-8V/+15V, T vj =25o C

338

n.S.

t r

Il est temps de monter.

174

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1020

n.S.

t f

Temps d'automne

100

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

65.2

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

88.8

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 800A, R G=1.2Ω,

V Généralement générés =-8V/+15V, T vj =125o C

398

n.S.

t r

Il est temps de monter.

203

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1140

n.S.

t f

Temps d'automne

183

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

96.6

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

109

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 800A, R G=1.2Ω,

V Généralement générés =-8V/+15V, T vj =150o C

413

n.S.

t r

Il est temps de monter.

213

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1140

n.S.

t f

Temps d'automne

195

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

105

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

113

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 800A, R G=1.2Ω,

V Généralement générés =-8V/+15V, T vj =175o C

419

n.S.

t r

Il est temps de monter.

223

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1142

n.S.

t f

Temps d'automne

205

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

110

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

115

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤8μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

3300

A

ISC

Données SC

t P≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =175o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

3000

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF = 800 A, V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 800 A, V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.85

IF = 800 A, V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.85

IF = 800 A, V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.85

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=5510A/μs,V Généralement générés =-8V, T vj =25o C

28.6

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

311

A

Eréc

Récupération Énergie

13.9

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4990A/μs,V Généralement générés =-8V, T vj =125o C

56.8

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

378

A

Eréc

Récupération Énergie

23.7

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4860A/μs,V Généralement générés =-8V, T vj =150o C

66.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

395

A

Eréc

Récupération Énergie

26.7

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=4790A/μs,V Généralement générés =-8V, T vj =175o C

72.1

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

403

A

Eréc

Récupération Énergie

28.6

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.42

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.047 0.083

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.031 0.055 0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

320

g