Module de thyristor/redresseur de soudage

MFC55,Module redresseur thyristor de soudage,Refroidissement par air

55A,800V~1800V,224H3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MFC55

Appurtenance:

Brochure produit :TÉLÉCHARGER

Introduction
Le schéma
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Module de thyratron de soudage ,M FC55 ，55A, Refroidissement par air ,produit par TECHSEM.

VRRM,VDRM

Type & Contour

800V

1000V

les autres

1400V

1600V

1800V

MFC55-08-224H3

MFC55-10-224H3

MFC55-12-224H3

MFC55-14-224H3

MFC55-16-224H3

MFC55-18-224H3

Caractéristiques ：

Base de montage isolée 3000V~
Technologie de jonction soudée avec capacité de cyclage de puissance accrue
Économie d'espace et de poids

Applications Typiques ：

Moteurs à courant alternatif
Divers redresseurs
Alimentation CC pour onduleur PWM

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai	Tj( ℃ )	Valeur			Unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai	Tj( ℃ )	Min	Type	Max	Unité
Les États membres	Courant moyen en état passant	180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz Refroidi par un seul côté, TC=85 ℃	125			55	Une
RMS (en anglais seulement)	Courant de l'état actif RMS		125			86	Une
Idrm Irrm	Courant de crête répétitif	à VDRM à VRRM	125			15	le nombre de
ITSM	Courant de surtension en état passant	VR=60%VRRM,,t= 10ms demi-sinusoïde,	125			1.7	kA
I2t	I2t pour coordination de fusion	VR=60%VRRM,,t= 10ms demi-sinusoïde,	125			14.5	103A2s
VTO	Voltage de seuil		125			0.75	V. Le groupe
rT	Résistance de pente en état passant		125			4.05	mΩ
VTM	Tension de pointe en état passant	ITM= 170A	25			1.60	V. Le groupe
dv/dt	Taux critique d'augmentation de la tension de seuil	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Taux critique d'augmentation du courant en état actif	Source de porte 1.5A tr ≤0.5μs Répétitif	125			200	A/μs
TIG	Courant de déclenchement de porte	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	le nombre de
Vgt	Tension de déclenchement de porte			0.6		2.5	V. Le groupe
Je suis	Courant de maintien			10		250	le nombre de
IL	Courant de verrouillage					1000	le nombre de
VGD	Tension de porte non déclenchée	VDM=67%VDRM	125			0.20	V. Le groupe
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	À 1800 sinusoïde. Refroidi par un seul côté par puce				0.470	℃ /W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur	À 1800 sinusoïde. Refroidi par un seul côté par puce				0.150	℃ /W
VISO	Tension d'isolement	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V. Le groupe
FM	Couple de connexion du terminal (M5)			2.5		4.0	N m
FM	Couple de montage (M6)			4.5		6.0	N m
Tvj	Température de jonction			-40		125	℃
TSTG	Température de stockage			-40		125	℃
Wt	Poids				100		g
Le schéma	224H3