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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD200FFY120C6S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD200FFY120C6S
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction succincte

Module IGBT ,produit par STARPOWER. 1200V 200A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Faibles pertes de commutation
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Énergie ininterrompue
  • Chauffage par induction
  • Machine à souder

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C

@ T C = 100o C

309

200

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

400

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T =175o C

1006

L

Diode

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

E F

Diode à dérive continue le loyer

200

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

400

A

Module

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

E C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.70

2.15

V

E C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.95

E C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =5.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

4.0

oh

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =200A, Barre G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

150

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

32

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

330

n.S.

t f

Temps d'automne

93

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

11.2

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

11.3

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =200A, Barre G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

161

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

37

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

412

n.S.

t f

Temps d'automne

165

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

19.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

17.0

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =200A, Barre G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

161

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

43

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

433

n.S.

t f

Temps d'automne

185

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

21.9

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

19.1

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

800

A

Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant

Tension

E F =200A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

E F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.65

E F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.65

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

17.6

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

228

A

E réc

Récupération Énergie

7.7

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =125o C

31.8

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

238

A

E réc

Récupération Énergie

13.8

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =150o C

36.6

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

247

A

E réc

Récupération Énergie

15.2

je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

δR/R

Déviation de Barre 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

21

nH

Barre CC+EE

Résistance de conduite du module e, Terminal à Puce

1.80

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.149

0.206

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.031

0.043

0.009

Pour les produits de base

M

Vis de montage:M6

3.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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