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Module IGBT 1700V

Module IGBT 1700V

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GD100HCX170C6SA ,Module IGBT,STARPOWER

Module IGBT, 1700V 100A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD100HCX170C6SA
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1700V 100A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =100o C

196

100

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

200

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

815

L

Diode

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

100

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

200

A

Module

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

4000

V

L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

E C =100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

2.25

E C =100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =4.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

5.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

7.5

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

12.0

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.29

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

0.94

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =100A, Barre G =1.0Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =52nH ,T vj =25o C

196

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

44

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

298

n.S.

t f

Temps d'automne

367

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

26.4

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

14.7

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =100A, Barre G =1.0Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =52nH ,T vj =125o C

217

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

53

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

361

n.S.

t f

Temps d'automne

516

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

36.0

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

21.0

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =100A, Barre G =1.0Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =52nH ,T vj =150o C

223

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

56

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

374

n.S.

t f

Temps d'automne

551

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

39.1

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

22.4

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V MEC ≤ 1700V

400

A

Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =100A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

E F =100A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.95

E F =100A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.90

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =100A,

-di/dt=1332A/μs,V Généralement générés =-15V LS =52nH ,T vj =25o C

26.8

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

78

A

E réc

Récupération Énergie

14.4

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =100A,

-di/dt=1091A/μs,V Généralement générés =-15V LS =52nH ,T vj =125o C

42.3

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

86

A

E réc

Récupération Énergie

23.7

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =100A,

-di/dt=1060A/μs,V Généralement générés =-15V LS =52nH ,T vj =150o C

48.2

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

89

A

E réc

Récupération Énergie

27.4

je suis désolé.

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.10

Barre le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.184 0.274

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.060 0.090 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g

Le schéma

image(c537ef1333).png

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