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Module IGBT 1700V

Module IGBT 1700V

Page d'accueil/Produits/Module IGBT/Module IGBT 1700V

GD100HCX170C6SA ,Module IGBT,STARPOWER

Module IGBT, 1700V 100A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD100HCX170C6SA
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Présentation succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation .1700V 100A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C

196

100

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

200

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

815

L

Diode

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

100

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

200

A

Module

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

4000

V

L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=4.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

7.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

12.0

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.29

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

0.94

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=100A, R G=1.0Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =52nH ,T vj =25o C

196

n.S.

t r

Il est temps de monter.

44

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

298

n.S.

t f

Temps d'automne

367

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

26.4

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

14.7

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=100A, R G=1.0Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =52nH ,T vj =125o C

217

n.S.

t r

Il est temps de monter.

53

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

361

n.S.

t f

Temps d'automne

516

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

36.0

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

21.0

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=100A, R G=1.0Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =52nH ,T vj =150o C

223

n.S.

t r

Il est temps de monter.

56

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

374

n.S.

t f

Temps d'automne

551

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

39.1

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

22.4

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V MEC ≤ 1700V

400

A

Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =100A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.95

IF =100A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.90

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1332A/μs,V Généralement générés =-15V LS =52nH ,T vj =25o C

26.8

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

78

A

Eréc

Récupération Énergie

14.4

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1091A/μs,V Généralement générés =-15V LS =52nH ,T vj =125o C

42.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

86

A

Eréc

Récupération Énergie

23.7

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1060A/μs,V Généralement générés =-15V LS =52nH ,T vj =150o C

48.2

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

89

A

Eréc

Récupération Énergie

27.4

je suis désolé.

Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.10

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.184 0.274

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.060 0.090 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g

Le schéma

image(c537ef1333).png

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