Introduction succincte
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 1200A.
Caractéristiques
-
Faible VCE(sat) Tranchée L'IGBT tECHNOLOGIE
- capacité de court-circuit de 10 μs
-
VCE (sat) avec positifs température coefficient
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
- Plaque de base en AlSiC pour une capacité de cycle de haute puissance
- Substrate AlN pour une faible résistance thermique
Typique Applications
- Convertisseurs haute puissance
- Pilotes de moteur
- Variateurs de courant alternatif
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Description |
Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes. |
Unités |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
E C |
Courant Collecteur @ T C =25℃
@ T C =80℃
|
2100
1200
|
A |
E Cm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
2400 |
A |
E F |
Diode à dérive continue le loyer |
1200 |
A |
E FM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
2400 |
A |
P D |
Puissance maximale Dissipation @ T j =175℃ |
7.61 |
kW |
T jmax |
Température maximale de jonction |
175 |
℃ |
T GST |
Température de stockage Autonomie |
-40 à +125 |
℃ |
V ISO |
Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
V |
Montage Couple |
Vis de terminal de signal:M4 |
1.8 à 2.1 |
|
Vis de terminal d'alimentation:M8 |
8.0 à 10 |
N.m. |
Vis de montage:M6 |
4.25 à 5.75 |
|
Électrique Caractéristiques de L'IGBT T C =25℃ à moins autrement noté
Caractéristiques hors
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V (BR )Le CES |
Collecteur-Émetteur
Tension de rupture
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
E Le CES |
Le collecteur Découpé -Éteint
Actuel
|
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
le nombre de |
E GES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
E C =48le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25℃ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur
Voltage de saturation
|
E C = 1200 A,V Généralement générés = 15 V, T j =25℃ |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
E C = 1200 A,V Généralement générés = 15 V, T j =125℃ |
|
2.00 |
|
Caractéristiques de commutation
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C =1200A,
Barre Gon =1,8Ω, Barre Goff = 0,62Ω, V Généralement générés =±15V,T j =25℃
|
|
550 |
|
n.S. |
t barre |
Il est temps de monter. |
|
230 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
830 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
160 |
|
n.S. |
E sur |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
/ |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
/ |
|
je suis désolé. |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C = une puissance de sortie de l'air supérieure à 300 W;
Barre Gon = 1,8Ω,R Goff = 0,62Ω, V Généralement générés =±15V,T j =125℃
|
|
650 |
|
n.S. |
t barre |
Il est temps de monter. |
|
240 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
970 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
190 |
|
n.S. |
E sur |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
246 |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
189 |
|
je suis désolé. |
C - Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz,
V Généralement générés =0V
|
|
85.5 |
|
nF |
C oes |
Capacité de sortie |
|
4.48 |
|
nF |
C rés |
Transfert inverse
Capacité
|
|
3.87 |
|
nF |
|
E SC
|
Données SC
|
t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V,
T j =125℃,
V CC =900V, V MEC ≤1200V
|
|
4800
|
|
A
|
Barre Le gint |
Porte intérieure
Résistance
|
|
|
1.9 |
|
oh |
L CE |
Inductivité de déplacement |
|
|
15 |
|
nH |
|
Barre CC+EE
|
Conducteur de module
La résistance,
Terminal au chip
|
|
|
0.10
|
|
mΩ
|
Électrique Caractéristiques de Diode T C =25℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V F |
Diode vers l'avant
Tension
|
E F = 1200A |
T j =25℃ |
|
1.65 |
2.05 |
V |
T j =125℃ |
|
1.65 |
|
Q: Le numéro barre |
Récupéré
Charge
|
E F = une puissance de sortie de l'air supérieure à 300 W;
V Barre =600V,
Barre Gon = 0,6Ω,
V Généralement générés =-15V
|
T j =25℃ |
|
112 |
|
le taux de décharge |
T j =125℃ |
|
224 |
|
E RM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
T j =25℃ |
|
850 |
|
A |
T j =125℃ |
|
1070 |
|
E réc |
Récupération Énergie |
T j =25℃ |
|
48.0 |
|
je suis désolé. |
T j =125℃ |
|
96.0 |
|
Caractéristique thermique ics
Le symbole |
Paramètre |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
Barre θ JC |
Les points de jonction (par IGB) T) |
|
19.7 |
K/kW |
Barre θ JC |
Les points de contact entre les deux cas (par D) iode) |
|
31.3 |
K/kW |
Barre θ CS |
Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite) |
8 |
|
K/kW |
Poids |
Poids Module |
1050 |
|
g |
EN
