Brève introduction :
Modules IGBT uniques haute tension produits par CRRC. 6500V 250A .
Caractéristiques
- Jeu de puces SPT+ pour faibles pertes de commutation
- Faible VCEsat
- Faible puissance de pilotage
-
Plaque de base AlSiC pour un cyclage de puissance élevé capacité
-
Substrat AlN pour faible thermique résistance
Typique application
- Les moteurs de traction
- Hacheur DC
- Inverters/converters haute tension
Valeurs maximales nominales
Paramètre |
Le symbole |
Conditions |
min |
max |
Unité |
Collecteur-Émetteur tension |
V. Le groupe Le CES |
V. Le groupe Généralement générés =0V,T vj ≥ 25°C |
|
6500 |
V. Le groupe |
Courant collecteur DC |
Je C |
T C =80°C |
|
250 |
A |
Courant de collecteur de pointe |
Je Cm |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
500 |
A |
Voltage de l'émetteur de la porte |
V. Le groupe GES |
|
-20 |
20 |
V. Le groupe |
Puissance totale dissipation |
P tout |
T C =25°C, par commutation (IGBT) |
|
3200 |
Le |
Courant direct continu |
Je F |
|
|
250 |
A |
Pic avant actuel |
Je MFN |
tp = 1 ms |
|
500 |
A |
Court-circuit IGBT cIRCUIT SOA |
t psc
|
V. Le groupe CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V. Le groupe Généralement générés ≤ 15V,Tvj≤ 125°C |
|
10
|
μ s
|
Tension d'isolement |
V. Le groupe isolée |
1min,f=50Hz |
|
10200 |
V. Le groupe |
Température de jonction |
T vj |
|
|
125 |
℃ |
Température de fonctionnement de la jonction |
T vj(op) |
|
-50 |
125 |
℃ |
Température de la boîte |
T C |
|
-50 |
125 |
℃ |
Température de stockage |
T gST |
|
-50 |
125 |
℃ |
Couples de montage |
MS |
|
4 |
6 |
Nm |
M T1 |
|
8 |
10 |
Les valeurs caractéristiques des IGBT
Paramètre |
Le symbole |
Conditions |
Min |
type |
max |
Unité |
Le collecteur (- émetteur) tension de claquage |
V(BR)CES
|
VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C |
6500
|
|
|
V. Le groupe
|
Collecteur-Émetteur saturation tension |
VCEsat |
IC=250A,V GE=15V |
Tvj= 25°C |
2.6 |
3 |
3.4 |
V. Le groupe |
Tvj=125°C |
3.4 |
4 |
4.6 |
V. Le groupe |
Le collecteur courant de coupure |
Le CIEM |
VCE=6500V,VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
4 |
le nombre de |
Tvj=125°C |
|
|
50 |
le nombre de |
Porte courant de fuite |
IGES |
VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C |
-500 |
|
500 |
nA |
Seuil d'émetteur de porte tension |
V. Le groupe RG (ème) |
IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C |
5.4 |
6.2 |
7 |
V. Le groupe |
Temps de retard d'activation |
t d(on) |
VCC=3600V, IC=250A,
RGon=6.8Ω ,
RGoff=33Ω ,
CGE=100nF
VGE = ± 15 V,
Ls=280nH,
charge inductive
|
Tvj = 25 °C |
|
1 |
|
μ s
|
Tvj = 125 °C |
|
0.94 |
|
Montée temps |
le |
Tvj = 25 °C |
|
0.76 |
|
Tvj = 125 °C |
|
0.81 |
|
Temps de retard de déclenchement |
t d(off) |
Tvj = 25 °C |
|
3.9 |
|
μ s
|
Tvj = 125 °C |
|
4.2 |
|
Temps d'automne |
t f |
Tvj = 25 °C |
|
2.2 |
|
Tvj = 125 °C |
|
2.8 |
|
Commutateur d'activation énergie de perte |
Eon |
Tvj = 25 °C |
|
3081 |
|
je suis désolé. |
Tvj = 125 °C |
|
3900 |
|
Commutateur d'arrêt énergie de perte |
E éteint |
Tvj = 25 °C |
|
2100 |
|
je suis désolé. |
Tvj = 125 °C |
|
1236 |
|
Court courant de circuit |
Je SC
|
tPSC ≤ 10 μm s, V Généralement générés
=15V, Tvj=125℃,V CC =
4400V
|
Tvj = 125 °C
|
|
940
|
|
A
|
EN
