GD260HTX120P7H,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté rente

260

A

Je C

Courant collecteur @ T F = 100 o C

150

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

520

A

P D

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75 o C T j = 175 o C

500

Le

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pic répétitif généralement générés

1200

V. Le groupe

Je FN

Collecteur Cu implémenté rente

260

A

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

150

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

520

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi

-40 à +150 +150 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =150A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.40

1.75

V. Le groupe

Je C =150A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

1.60

Je C =150A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

1.60

Je C =260A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.70

Je C =260A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

2.15

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =10,4 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

3.6

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

22.4

nF

C oes

Capacité de sortie

0.95

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.55

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe CE =600V,I C =150A, V Généralement générés =-8... +15V

1.32

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =150A,

R G = 3,3Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j = 25 o C

181

n.S.

t r

Il est temps de monter.

44

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

541

n.S.

t f

Temps d'automne

217

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

12.1

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

14.4

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =150A,

R G = 3,3Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j = 125 o C

193

n.S.

t r

Il est temps de monter.

52

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

609

n.S.

t f

Temps d'automne

319

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

17.3

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

18.3

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =150A,

R G = 3,3Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j = 150 o C

199

n.S.

t r

Il est temps de monter.

54

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

628

n.S.

t f

Temps d'automne

333

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

19.3

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

19.3

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤6μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

800

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =150A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.45

1.80

V. Le groupe

Je F =150A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o C

1.40

Je F =150A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.35

Je F =260A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.65

Je F =260A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.65

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =150A,

-di/dt=3400A/μs,V Généralement générés = 8V L S =35 nH ,T j = 25 o C

6.55

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

115

A

E réc

Récupération Énergie

3.23

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =150A,

-di/dt=2950A/μs,V Généralement générés = 8V L S =35 nH ,T j = 125 o C

14.3

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

125

A

E réc

Récupération Énergie

5.42

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =150A,

-di/dt=2780A/μs,V Généralement générés = 8V L S =35 nH ,T j = 150 o C

16.6

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

130

A

E réc

Récupération Énergie

6.31

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

△ p

Chute de pression de refroidissement Cir cuit

δ V⁄Δt=10.0dm3/min;TF=2 5 o C;Refroidissement Fluide=50% Eau/50% Éthylène Glycol

50

mbar

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.0

bar

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode)

0.200 0.274

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

685

g