GD400HTX120P6HL,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

ICN

Collecteur Cu implémenté rente

400

A

IC

Courant collecteur @ T F =100o C

250

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

800

A

PD

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75o C T j =175o C

862

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Voltage inverse de pic répétitif généralement générés

1200

V

IFN

Collecteur Cu implémenté rente

400

A

IF

Diode courant continu avant Cu rente

250

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

800

A

I2t

I2t-valeur,t p =10ms @ T j =125o C @ T j =150o C

17860

15664

A2s

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi

-40 à +150 +150 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

3000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=250A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.45

1.80

V

IC=250A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.65

IC=250A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.70

IC=380A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.70

IC=380A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.15

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=9.75le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

2.4

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

33.6

nF

Coes

Capacité de sortie

1.43

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.82

nF

QG

Charge de la porte

V CE =600V,I C =250A, V Généralement générés =-8... +15V

1.98

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=250A, R G=2.2Ω, LS =24nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =25o C

231

n.S.

t r

Il est temps de monter.

50

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

545

n.S.

t f

Temps d'automne

172

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

19.6

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

23.2

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=250A, R G=2.2Ω, LS =24nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =125o C

241

n.S.

t r

Il est temps de monter.

57

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

619

n.S.

t f

Temps d'automne

247

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

26.6

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

28.7

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=250A, R G=2.2Ω, LS =24nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =150o C

245

n.S.

t r

Il est temps de monter.

57

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

641

n.S.

t f

Temps d'automne

269

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

30.1

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

30.9

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

1200

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =250A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.50

1.90

V

IF =250A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.45

IF =250A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.40

IF =380A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.65

IF =380A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.60

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4860A/μs,V Généralement générés = 8V LS =24nH ,T j =25o C

9.10

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

160

A

Eréc

Récupération Énergie

4.39

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4300A/μs,V Généralement générés = 8V LS =24nH ,T j =125o C

21.4

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

192

A

Eréc

Récupération Énergie

8.43

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4120A/μs,V Généralement générés = 8V LS =24nH ,T j =150o C

25.7

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

203

A

Eréc

Récupération Énergie

9.97

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

8

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C

64

mbar

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.5

barre

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode)

0.098 0.128

0.116 0.150

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Poids de Module

750

g