Introduction succincte
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 400A.
Caractéristiques
- Technologie IGBT NPT
- capacité de court-circuit de 10 μs
- Faibles pertes de commutation
- VCE (sat) avec coefficient de température positif
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Typique Applications
- Alimentation en mode commutation
- Chauffage par induction
- Soudeuse électronique
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25o C à moins autrement noté
L'IGBT
Le symbole |
Description |
Valeur |
Unité |
VCES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
VGES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
IC |
Courant collecteur @ TC=25oC
@ TC=70oC
|
549
400
|
A |
MIC |
Courant Collecteur Impulsé tp=1ms |
800 |
A |
PD |
Dissipation de puissance maximale @ T =150oC |
2659 |
L |
Diode
Le symbole |
Description |
Valeur |
Unité |
RRVM |
Voltage inverse de pointe répétitif |
1200 |
V |
Si |
Diode à courant continu vers l'avant |
400 |
A |
MFI |
Courant Avant Maximum du Diode tp=1ms |
800 |
A |
Module
Le symbole |
Description |
Valeur |
Unité |
Tjmax |
Température maximale de jonction |
150 |
oC |
Je suis un homme. |
Température de fonctionnement des jonctions |
-40 à +125 |
oC |
TSTG |
Plage de température de stockage |
-40 à +125 |
oC |
VISO |
Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
V |
L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur
Voltage de saturation
|
E C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
E C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C |
|
3.60 |
|
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
E C = 16,0 mA,V CE =V Généralement générés , T j =25o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
E Le CES |
Le collecteur Découpé -Éteint
Actuel
|
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
le nombre de |
E GES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Barre Le gint |
Résistance à la porte interne ance |
|
|
0.6 |
|
oh |
C - Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz,
V Généralement générés =0V
|
|
26.0 |
|
nF |
C rés |
Transfert inverse
Capacité
|
|
1.70 |
|
nF |
Q: Le numéro G |
Charge de la porte |
V Généralement générés =- 15...+15V |
|
4.2 |
|
le taux de décharge |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C = 400A, Barre G =2.2Ω,
V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C
|
|
76 |
|
n.S. |
t barre |
Il est temps de monter. |
|
57 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
529 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
73 |
|
n.S. |
E sur |
On le met en marche Le changement
Perte de
|
|
5.2 |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Commutateur d'arrêt
Perte de
|
|
23.2 |
|
je suis désolé. |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C = 400A, Barre G =2.2Ω,
V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C
|
|
81 |
|
n.S. |
t barre |
Il est temps de monter. |
|
62 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
567 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
81 |
|
n.S. |
E sur |
On le met en marche Le changement
Perte de
|
|
9.9 |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Commutateur d'arrêt
Perte de
|
|
31.7 |
|
je suis désolé. |
|
E SC
|
Données SC
|
t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,
T j =125o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V
|
|
2800
|
|
A
|
Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
V F |
Diode vers l'avant
Tension
|
E F = 400 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C |
|
1.96 |
2.31 |
V |
E F = 400 A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
Q: Le numéro barre |
Charge récupérée |
V Barre =600V,I F = 400A,
-di/dt=6000A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C
|
|
24.9 |
|
le taux de décharge |
E RM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
317 |
|
A |
E réc |
Récupération Énergie |
|
16.0 |
|
je suis désolé. |
Q: Le numéro barre |
Charge récupérée |
V Barre =600V,I F = 400A,
-di/dt=6000A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 125o C
|
|
35.5 |
|
le taux de décharge |
E RM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
391 |
|
A |
E réc |
Récupération Énergie |
|
21.4 |
|
je suis désolé. |
Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
L CE |
Inductivité de déplacement |
|
|
20 |
nH |
Barre CC+EE |
Module de résistance au plomb ensuite, terminal à puce |
|
0.18 |
|
mΩ |
Barre le CJJ |
Les points de jonction (par IGB) T)
Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi
|
|
|
0.047
0.100
|
Pour les produits de base |
|
Barre thCH
|
Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.
Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode)
Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)
|
|
0.015
0.031
0.010
|
|
Pour les produits de base |
M |
Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m. |
G |
Poids de Module |
|
300 |
|
g |
EN
