GD225HFX120C6S,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =195o C

338

225

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

450

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

1071

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

225

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

450

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.75

2.20

V

E C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.00

E C =225A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.05

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =8.16le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.7

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

23.3

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.65

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

1.75

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =225A, Barre G = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

136

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

34

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

372

n.S.

t f

Temps d'automne

69

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

5.78

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

16.7

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =225A, Barre G = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C

145

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

34

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

461

n.S.

t f

Temps d'automne

88

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

10.6

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

26.0

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =225A, Barre G = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C

153

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

34

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

490

n.S.

t f

Temps d'automne

98

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

12.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

28.9

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

900

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =225A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

E F =225A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.90

E F =225A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V Généralement générés =-15V, T j =25o C

25.9

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

345

A

E réc

Récupération Énergie

11.8

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V Généralement générés =-15V, T j =125o C

49.5

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

368

A

E réc

Récupération Énergie

21.6

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V Généralement générés =-15V, T j =150o C

56.4

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

391

A

E réc

Récupération Énergie

24.5

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.10

mΩ

Barre le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.140 0.203

Pour les produits de base

Barre thCH

Étude de cas -à -Disjoncteur (parIGBT ) Pour les appareils de type "A" Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.030 0.044 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g