MZx400,Module de diode à récupération rapide,TECHSEM

600V~1800V,410F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MZx400

Appurtenance:

Brochure produit :TÉLÉCHARGER

Introduction brève

Modules de diodes à récupération rapide , MZ x40 0,Refroidissement par air ,produit par TECHSEM.

RRVM

Type & Contour

600V

800V

1000V

les autres

1400V

1600V

1800V

MZx400-06-410F3

MZx400-08-410F3

MZx400-10-410F3

MZx400-12-410F3

MZx400-14-410F3

MZx400-16-410F3

MZx400-18-410F3

MZ400-18-410F3G

Caractéristiques ：

Base de montage isolée 3000V~
Technologie de contact sous pression avec Capacité de cyclage de puissance accrue
Économie d'espace et de poids

Applications Typiques ：

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai	Tj( ℃ )	Valeur			Unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai	Tj( ℃ )	Min	Type	Max	Unité
IF(AV)	Courant direct moyen	180。demi-onde sinusoïdale de 50 Hz Refroidi par un seul côté, TC=85 。C	140			400	Une
IF (RMS)	Courant direct RMS		140			628	Une
RSI	Courant de crête répétitif	à VRRM	140			90	le nombre de
MFI	Courant de surtension avant	10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM	140			9.5	kA
Je ²t	I2t pour coordination de fusion	10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM	140			451	10³Une ²s
VFO	Voltage de seuil		140			1.10	V. Le groupe
rF	Résistance de pente directe		140			0.27	mΩ
VFM	Tension directe de crête	IFM= 1200A	25			2.00	V. Le groupe
le	Temps de récupération inverse	IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V	140		4		μs
le	Temps de récupération inverse	IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V	25		3		μs
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	Refroidi par un seul côté par puce				0.090	℃ /W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur	Refroidi par un seul côté par puce				0.020	℃ /W
VISO	Tension d'isolement	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V. Le groupe
FM	Le couple de connexion du terminal ((M12)			12.0		14.0	N m
FM	Le couple de montage (M8)			10.0		12.0	N m
Tvj	Température de jonction			-40		140	℃
TSTG	Température de stockage			-40		125	℃
Wt	Poids				3310		g
Le schéma	410F3