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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD150HFU120C8SD, Module IGBT, STARPOWER

1200V 150A, emballage : C8

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD150PIX120C6SNA
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 150A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =85o C

238

150

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

300

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj =150o C

1237

L

Diode

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

150

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

300

A

Module

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

150

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +125

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =150A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

E C =150A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

3.60

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =3.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

5.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.50

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 30V, f=1MHz, V Généralement générés =0V

19.2

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.60

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

1.83

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =150A, Barre G =6,8Ω, Ls=35nH, V Généralement générés =±15V,T vj =25o C

183

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

73.8

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

438

n.S.

t f

Temps d'automne

33.0

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

12.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

5.31

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =150A, Barre G =6,8Ω, Ls=35nH, V Généralement générés =±15V,T vj =125o C

185

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

74

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

476

n.S.

t f

Temps d'automne

44.5

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

15.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

7.74

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =125o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

975

A

Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =150A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

E F =150A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.90

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs, Ls=35nH, V Généralement générés =-15V, T vj =25o C

11.9

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

113

A

E réc

Récupération Énergie

4.02

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs, Ls=35nH, V Généralement générés =-15V, T vj =125o C

22.5

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

139

A

E réc

Récupération Énergie

8.58

je suis désolé.

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.101 0.257

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.028 0.071 0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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