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Módulo de SiC

Módulo de SiC

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SCE400N1200EK6B, Módulo de carburo de silicio (SiC), paquete de seis (trifásico)

1200 V, 400 A, 4 mΩ
Brand:
SCE
Spu:
SCE900N1200ED
Appurtenance:

Folleto del producto:Descargar

  • Introducción
  • Dimensiones
  • CIRCUITO
Introducción

Módulos de potencia de carburo de silicio (SiC) de la serie EK6 EK6(1).png

  1. Temperatura máxima de funcionamiento en la unión: 175 ℃;

  2. Alta densidad de potencia y bajas pérdidas de conmutación;

  3. Adecuado para aplicaciones de alta temperatura y alta frecuencia;

  4. Rango de parámetros:

    • V Ds : 650–1700 V

    • I D : 100–400 A

    • Barra DS(on) : 2,5–26 mΩ

Lista de productos de la serie EK6

Código de producto VDS RDS(on) a 25 ℃ ID
SCE400N1200EK6B 1200V 4 mΩ 400A
SCE 300N1200EK6 1200V 5,3 mΩ 300A
SCE 300N1200EK6B 1200V 5,3 mΩ 300A
SCE 200N1200EK6 1200V 8 mΩ 200A
SCE 100N1200EK6 1200V 16 mΩ 100A
SCE 100N1200EK6B 1200V 16 mΩ 100A
SCE 200N1700EK6 las demás 13 mΩ 200A
SCE 200N1700EK6F las demás 13 mΩ 200A



SCE400N1200EK6B
Módulo de carburo de silicio (SiC), configuración de seis unidades (trifásico)
El módulo SCE-MEK6 incorpora el MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N, generación 3, de 1200 V de SCE. Sensor de temperatura NTC integrado

Características

  • Alta densidad de corriente
  • Diseño de baja inductancia
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • Operación de alta frecuencia
  • Corriente residual de apagado nula en el MOSFET
  • Funcionamiento normalmente apagado y seguro ante fallos

Aplicaciones

  • Aplicación de conmutación de alta frecuencia
  • Convertidor DC/DC
  • Cargador de corriente continua para el EV
  • La soldadura

El símbolo

Parámetros

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V Ds

Voltaje de drenaje-fuente

-

-

1200

V

V GS

Tensión puerta-fuente

-10

-

+22

V

I CC

Continuo CC Corriente de drenaje

-

400

-

A

I DRM

Pico repetitivo Drenaje Cu renta

-

800

-

A

T op ; T el GST

Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento

-40

-

+150

C

L Fugas

Inductividad de alejamiento

-

-

20

nH

V sólo

Tensión de ensayo de aislamiento (f = 50 Hz; t = 1 min)

-

3.0

-

kV

M

Par de apriete para la fijación del módulo Tornillo M5

3.0

-

6.0

Nm

G

Peso

-

300

-

g

Barra th JC, el otro

Térmica Resistencia, unión unión-a-disipador térmico

-

0.12

-

C/W

En absoluto Máximo Calificaciones (en T C =25°C a menos que de otro modo especificado )

El símbolo

Parámetros

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

VDS

Voltaje de drenaje-fuente

-

-

1200

V

VGS

Tensión puerta-fuente

-10

-

+22

V

IDC

Corriente continua de drenaje en CC

-

400

-

A

IDRM

Corriente de pico repetitiva de drenaje

-

800

-

A

Superior; Tstg

Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento

-40

-

+150

C

LStray

Inductividad de alejamiento

-

-

20

nH

El visol

Tensión de ensayo de aislamiento (f = 50 Hz; t = 1 min)

-

3.0

-

kV

M

Par de apriete para el montaje del módulo, tornillo M5

3.0

-

6.0

Nm

G

Peso

-

300

-

g

Rth JC

Resistencia térmica, unión-a-disipador de calor

-

0.12

-

C/W

Dimensiones

Package Dimensions (mm).png

CIRCUITO

Circuit Diagram Headline.png

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