Introducción breve
Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 400A.
Características
- Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
- capacidad de cortocircuito de 10 μs
- VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
- Temperatura máxima de unión 175oC
- Cuadro de baja inductancia
- Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
- Base de cobre aislada con tecnología DBC
Típico Aplicaciones
- Inversores para motor de transmisión
- Con un volumen de carga de más de 300 W
- Suministro de energía ininterrumpible
En absoluto Máximo Calificaciones T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El IGBT
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1200 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
Yo C |
El colector Actual @ T C=25a C
@ T C= 100a C
|
630
400
|
R |
Yo Cm |
Pulsado El colector Actual t p =1ms |
800 |
R |
PG |
Máximo Potencia Disipación @ T j =175a C |
2083 |
R |
Diodo
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
V RRM |
Voltado inverso de pico repetitivo |
1200 |
V |
Yo F |
Diodo de corriente continua hacia adelante |
400 |
R |
Yo - ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms |
800 |
R |
Módulo
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
T jmax |
Temperatura máxima de unión naturaleza |
175 |
a C |
T el juego |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
-40 a +150 |
a C |
T El GST |
Rango de Temperatura de Almacenamiento |
-40 a +125 |
a C |
V ISO |
El aislamiento Tensión RMS ,f=50 HZ ,t=1 mIN |
4000 |
V |
El IGBT Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
V CE (sat )
|
Recolector al emisor
Voltagem de saturación
|
Yo C=400A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Yo C=400A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C |
|
1.95 |
|
Yo C=400A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150a C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Umbral de emisor de puertas Tensión |
Yo C= 10.0el número de ,V CE =V GE ,T j =25a C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Yo El CES |
Corte de Colector
Actual
|
V CE =V El CES ,V GE =0V,
T j =25a C
|
|
|
5.0 |
el número de |
Yo El GES |
Fugas de los emisores de puertas Actual |
V GE =V El GES ,V CE =0V,
T j =25a C
|
|
|
400 |
nA |
Barra El ginto |
Resistencia de la puerta interna |
|
|
1.9 |
|
ω |
Cies |
Capacidad de entrada |
V CE =25V,f=1 MHz ,
V GE el valor de la energía de la corriente
|
|
41.4 |
|
nF (número de trabajo) |
Cres |
Transferencia inversa
Capacidad
|
|
1.16 |
|
nF (número de trabajo) |
PG |
Cargo por puerta |
V GE =- 15V... +15V |
|
3.11 |
|
el valor de la concentración |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo C=400A, Barra G=2.0Ω,
V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C
|
|
257 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
96 |
|
el Consejo |
t g (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
628 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
103 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio
Pérdida
|
|
23.5 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
34.0 |
|
mJ |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo C=400A, Barra G=2.0Ω,
V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j = 125a C
|
|
268 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
107 |
|
el Consejo |
t g (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
659 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
144 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio
Pérdida
|
|
35.3 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
51.5 |
|
mJ |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo C=400A, Barra G=2.0Ω,
V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j = 150a C
|
|
278 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
118 |
|
el Consejo |
t g (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
680 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
155 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio
Pérdida
|
|
38.5 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido
Pérdida
|
|
56.7 |
|
mJ |
|
Yo SC
|
Datos de la SC
|
t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
T j =150a C,V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V
|
|
1600
|
|
R
|
Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
V F
|
Diodo hacia adelante
Tensión
|
Yo F =400A, V GE =0V, T j =25a C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Yo F =400A, V GE =0V, T j = 125a C |
|
1.85 |
|
Yo F =400A, V GE =0V, T j = 150a C |
|
1.85 |
|
Pbarra |
Cargo recuperado |
V Barra el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo F =400A,
-di /dt =5000A/μs, V GE =- 15V T j =25a C
|
|
38.0 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
285 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
19 |
|
mJ |
Pbarra |
Cargo recuperado |
V Barra el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo F =400A,
-di /dt =5000A/μs, V GE =- 15V T j = 125a C
|
|
66.5 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
380 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
36.6 |
|
mJ |
Pbarra |
Cargo recuperado |
V Barra el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo F =400A,
-di /dt =5000A/μs, V GE =- 15V T j = 150a C
|
|
76.0 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
399 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
41.8 |
|
mJ |
Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
CCE |
Inductividad de alejamiento |
|
|
20 |
nH |
Barra CC ’+EE ’ |
Resistencia de conexión del módulo, Terminal al chip |
|
0.18 |
|
mΩ |
Barra el JC |
Unión -a -Caso (por El IGBT )
Unión -a -Caso (por Diodo )
|
|
|
0.072
0.095
|
El número de unidades |
|
Barra el CH
|
Caso -a -Disipador de calor (por El IGBT )
Caso -a -Disipador de calor (por Diodo )
En caso de que el sistema de refrigeración de la caja esté equipado con un sistema de refrigeración de la caja, el sistema de refrigeración de la caja deberá utilizarse para la instalación de los sistemas de refrigeración de la caja.
|
|
0.018
0.023
0.010
|
|
El número de unidades
|
M |
El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Montaje Par , Tornillo M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
Nuevo Méjico |
G |
PESO DE Módulo |
|
300 |
|
g |
EN
