Módulo IGBT 1200V

GD900HFA120C6S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 900A

Brand:

El sistema de energía

Spu:

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Introducción
Esquema

Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 900A.

Características

Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
Capacidad de cortocircuito
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Máximo temperatura de unión 175oC
Cuadro de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
Base de cobre aislada con tecnología DBC

Típico Aplicaciones

Híbrido y eléctrico v vehículo
El invertidor para motor de tracción
Puente ininterrumpido barra suministro

En absoluto Máximo Calificaciones T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo	Descripción	Valores	Unidad
V El CES	Voltagem del colector-emittente	1200	V
V El GES	Voltagem del emisor de la puerta	±20	V
I C	Corriente Colectora @ T C =90o C	900	A
I Cm	Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms	1800	A
P D	Disipación de potencia máxima @ T j =175o C	3409	A

Diodo

El símbolo	Descripción	Valores	Unidad
V RRM	Volt inverso de pico repetitivo edad	1200	V
I F	Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler	900	A
I - ¿ Qué?	Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms	1800	A
I FSM	Corriente de impulso t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C	4100 3000	A
I 2t	I 2t-valor,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C	84000 45000	A 2s

Módulo

El símbolo	Descripción	Valor	Unidad
T jmax	Temperatura máxima de unión	175	o C
T el juego	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +150	o C
T El GST	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-40 a +125	o C
V ISO	Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto	2500	V

El IGBT Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetros	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidad
V CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	I C el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25o C		1.40	1.85	V
		I C el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125o C		1.60
		I C el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =175o C		1.65
V El sector de la energía (th)	Umbral de emisor de puertas Voltaje	I C =24.0el número de ,V CE =V El sector de la energía , T j =25o C	5.5	6.3	7.0	V
I El CES	El colector Cortado -Off Actual	V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, T j =25o C			1.0	el número de
I El GES	Fugas de los emisores de puertas Actual	V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, T j =25o C			400	nA
Barra El ginto	Resistencia de la puerta interna el			0.5		ω
C ies	Capacidad de entrada	V CE = 25V, f = 100 kHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente		51.5		nF (número de trabajo)
C res	Transferencia inversa Capacidad			0.36		nF (número de trabajo)
¿Qué es? G	Cargo por puerta	V El sector de la energía =- 15...+15V		13.6		el valor de la concentración
t d (en )	Tiempo de retraso de encendido	V CC = 600 V,I C = 900A, Barra G =0.51Ω, L S =40nH, V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: T j =25o C		330		el Consejo
t barra	Tiempo de ascenso			140		el Consejo
t no se puede	Apagado Tiempo de retraso			842		el Consejo
t f	Tiempo de caída			84		el Consejo
E en	Enciende Conmutación Pérdida			144		mJ
E off	Cambiar el encendido Pérdida			87.8		mJ
t d (en )	Tiempo de retraso de encendido	V CC = 600 V,I C = 900A, Barra G =0.51Ω, L S =40nH, V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: T j =125o C		373		el Consejo
t barra	Tiempo de ascenso			155		el Consejo
t no se puede	Apagado Tiempo de retraso			915		el Consejo
t f	Tiempo de caída			135		el Consejo
E en	Enciende Conmutación Pérdida			186		mJ
E off	Cambiar el encendido Pérdida			104		mJ
t d (en )	Tiempo de retraso de encendido	V CC = 600 V,I C = 900A, Barra G =0.51Ω, L S =40nH, V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: T j =175o C		390		el Consejo
t barra	Tiempo de ascenso			172		el Consejo
t no se puede	Apagado Tiempo de retraso			950		el Consejo
t f	Tiempo de caída			162		el Consejo
E en	Enciende Conmutación Pérdida			209		mJ
E off	Cambiar el encendido Pérdida			114		mJ
I SC	Datos de la SC	t P ≤8μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM ≤1200V		3200		A
I SC	Datos de la SC	t P ≤6μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =175o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM ≤1200V		3000		A

Diodo Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetros	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
V F	Diodo hacia adelante Voltaje	I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =25o C		1.55	2.00	V
		I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =125o C		1.65
		I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =175o C		1.55
¿Qué es? barra	Cargo recuperado	V Barra = 600 V,I F = 900A, -di/dt=4930A/μs,V El sector de la energía =-8V, L S =40nH ,T j =25o C		91.0		el valor de la concentración
I RM	Pico invertido Corriente de recuperación			441		A
E reconocimiento	Recuperación inversa Energía			26.3		mJ
¿Qué es? barra	Cargo recuperado	V Barra = 600 V,I F = 900A, -di/dt=4440A/μs,V El sector de la energía =-8V, L S =40nH ,T j =125o C		141		el valor de la concentración
I RM	Pico invertido Corriente de recuperación			493		A
E reconocimiento	Recuperación inversa Energía			42.5		mJ
¿Qué es? barra	Cargo recuperado	V Barra = 600 V,I F = 900A, -di/dt=4160A/μs,V El sector de la energía =-8V, L S =40nH ,T j =175o C		174		el valor de la concentración
I RM	Pico invertido Corriente de recuperación			536		A
E reconocimiento	Recuperación inversa Energía			52.4		mJ

NTC Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetros	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidad
Barra 25	Resistencia nominal			5.0		kΩ
∆R/R	Desviación de Barra 100	T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Potencia Disipación				20.0	mW
B 25/50	Valor B	Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?		3375		K
B 25/80	Valor B	Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?		3411		K
B 25/100	Valor B	Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?		3433		K

Módulo Características T C =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetros	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidad
L CE	Inductividad de alejamiento		20		nH
Barra CC+EE	Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip		0.80		mΩ
Barra el JC	Enlace a la caja (por IGB) T) Junción-a-Caja (por D iodo)			0.044 0.076	El número de unidades
Barra el CH	En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga Caja-a-disipador (pe r Diodo) En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: Módulo)		0.028 0.049 0.009		El número de unidades
M	El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje El tornillo M5	3.0 3.0		6.0 6.0	Nuevo Méjico
G	Peso de Módulo		350		g

Esquema

image(c537ef1333).png

Todas las categorías

Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

SiC

Módulo IGBT

Oblea IGBT/FRD

Igbt Discreto

Conversor ADC de alta precisión

Dac De Alto Rendimiento

Amplificadores de instrumentación

Regulador LDO de Alta Precisión

Referencias De Voltaje

Módulo Diodo

Diodo Rectificador Tipo Cápsula

Módulo de Tiroistores/diodos

MOSFET

Rele Foto MOS

Relé Electromagnético

Relé de retardo temporal

Controlador Integrado

Controlador De Potencia

Módulo Igct

vAAU (Celda de combustible de hidrógeno)

GD900HFA120C6S,Módulo IGBT,STARPOWER

Introducción

Esquema

Producto relacionado

Módulo de diodo, MDBD1500-33-01 | I-01, FM1500NDM33-D200

TIM1200DDM17-TSA000,Módulo IGBT,IGBT de doble interruptor,CRRC

GD1200SGT120A3S,Módulo IGBT,STARPOWER

Y35KSEA, Tiristor de Control Bidireccional

H100ZPU, Diodo Rectificador

MZx300, módulo de diodo de recuperación rápida, TECHSEM

¿Tiene preguntas sobre algún producto?

Todas las categorías

Solicite un presupuesto gratuito

Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

GD900HFA120C6S,Módulo IGBT,STARPOWER

Introducción

Esquema

Solicite un presupuesto gratuito

Producto relacionado

¿Tiene preguntas sobre algún producto?

Solicite un presupuesto gratuito

Solicite un presupuesto gratuito