MZx300, módulo de diodo de recuperación rápida, TECHSEM

600V~1800V,415F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MZx300

Appurtenance:

Folleto del producto:DESCARGAR

Breve introducción

Módulos de diodo de recuperación rápida , MZ x30 0,Enfriamiento por Aire ,producido por TECHSEM.

VIRM

Tipo y contorno

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MZx300-06-415F3

MZx300-08-415F3

MZx300-10-415F3

MZx300-12-415F3

MZx300-14-415F3

MZx300-16-415F3

MZx300-18-415F3

MZ300-18-415F3G

MZx significa cualquier tipo de MZC, MZA, MZK

Características ：

Aplicaciones típicas ：

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj( ℃ )	Valor			Unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj( ℃ )	Mín	Tipo	Máx	Unidad
IF(AV)	Corriente media directa	180° media onda senoidal 50Hz Enfriado por un solo lado, TC=85 ℃	140			300	A. El
IF (RMS)	Corriente directa RMS		140			471	A. El
MIRR	Corriente pico repetitiva	en VRRM	140			70	el número de
El IFSM	Corriente de avance de sobretensión	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM	140			8.30	kA
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM	140			344	103A. El ²s
VFO	Voltaje de umbral		140			0.95	V
rF	Resistencia de pendiente directa		140			0.48	m
VFM	Voltaje directo pico	IFM=900A	25			1.55	V
trr	Tiempo de recuperación inversa	IFM=300A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V	140		4		μs
trr	Tiempo de recuperación inversa	IFM=300A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V	25		3		μs
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Enfriado por un lado por chip				0.120	℃ /W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	Enfriado por un lado por chip				0.040	℃ /W
VISO (en inglés)	Voltaje de aislamiento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
- ¿ Qué?	Par de conexión del terminal (M10)			10.0		12.0	Nuevo Méjico
- ¿ Qué?	Par de montaje (M6)			4.5		6.0	Nuevo Méjico
TVj	Temperatura de unión			-40		140	℃
TSTG	Temperatura almacenada			-40		125	℃
El	Peso				1260		g. El
Esquema	415F3