Introducción breve
Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 1200A.
Características
-
Bajo VCE(sat) Trinchera El IGBT tecnología
- capacidad de cortocircuito de 10 μs
-
VCE (sat) con positivo temperatura coeficiente
- Cuadro de baja inductancia
- Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
- Placa base de AlSiC para la capacidad de ciclo de alta potencia
- Sustrato de AlN para baja resistencia térmica
Típico Aplicaciones
- Conversores de alta potencia
- Conducidores de automóviles
- Controladores de inversores de CA
En absoluto Máximo Calificaciones T C=25℃ a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las |
Unidades |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1200 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
Yo C |
Corriente del colector @ T C=25℃
@ T C=80℃
|
2100
1200
|
R |
Yo Cm |
Corriente Colectora Pulsada t p =1ms |
2400 |
R |
Yo F |
Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler |
1200 |
R |
Yo - ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms |
2400 |
R |
PG |
Disipación de potencia máxima @ T j =175℃ |
7.61 |
kW |
T jmax |
Temperatura máxima de unión |
175 |
℃ |
T El GST |
Temperatura de almacenamiento Gama |
-40 a +125 |
℃ |
V ISO |
El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 mIN |
2500 |
V |
Montaje Par |
Tornillo de terminal de señal:M4 |
1.8 a 2.1 |
|
Tornillo de terminal de potencia:M8 |
8.0 a 10 |
Nuevo Méjico |
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga |
4.25 a 5.75 |
|
Eléctrico Características de El IGBT T C=25℃ a menos que de otro modo anotado
Desactivado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidades |
V (BR )El CES |
Recolector-emittente
Voltaje de ruptura
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
Yo El CES |
El colector Cortado -Off
Actual
|
V CE =V El CES ,V GE =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
el número de |
Yo El GES |
Fugas de los emisores de puertas Actual |
V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Sobre las características
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidades |
V GE (th) |
Umbral de emisor de puertas Tensión |
Yo C=48el número de ,V CE =V GE , T j =25℃ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
V CE (sat)
|
Recolector al emisor
Voltagem de saturación
|
Yo C= 1200 A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25℃ |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Yo C= 1200 A, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125℃ |
|
2.00 |
|
Cambiar de características
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidades |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C= 1200A,
Barra ¿ Qué pasa? =1,8Ω, Barra - ¿ Qué? = 0,62Ω, V GE el valor de las emisiones de CO2 j =25℃
|
|
550 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
230 |
|
el Consejo |
t g (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
830 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
160 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio Pérdida |
|
/ |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
/ |
|
mJ |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C= el número de unidades de carga de la unidad de carga
Barra ¿ Qué pasa? = 1, 8Ω,R - ¿ Qué? = 0,62Ω, V GE el valor de las emisiones de CO2 j =125℃
|
|
650 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
240 |
|
el Consejo |
t g (off ) |
Apagado Tiempo de retraso |
|
970 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
190 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio Pérdida |
|
246 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
189 |
|
mJ |
Cies |
Capacidad de entrada |
V CE = 25V, f=1MHz,
V GE el valor de la energía de la corriente
|
|
85.5 |
|
nF (número de trabajo) |
Ces |
Capacidad de salida |
|
4.48 |
|
nF (número de trabajo) |
Cres |
Transferencia inversa
Capacidad
|
|
3.87 |
|
nF (número de trabajo) |
|
Yo SC
|
Datos de la SC
|
t P≤ 10 μs, V GE =15 V,
T j =125℃,
V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V
|
|
4800
|
|
R
|
Barra El ginto |
Puerta interna
Resistencia
|
|
|
1.9 |
|
ω |
CCE |
Inductividad de alejamiento |
|
|
15 |
|
nH |
|
Barra CC+EE
|
Modulo de plomo
Resistencia,
Terminal a el chip
|
|
|
0.10
|
|
mΩ
|
Eléctrico Características de Diodo T C=25℃ a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidades |
V F |
Diodo hacia adelante
Tensión
|
Yo F = 1200A |
T j =25℃ |
|
1.65 |
2.05 |
V |
T j =125℃ |
|
1.65 |
|
Pbarra |
Recuperado
Cargar
|
Yo F = el número de unidades de carga de la unidad de carga
V Barra el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
Barra ¿ Qué pasa? = 0,6Ω,
V GE el valor de la presión de escape
|
T j =25℃ |
|
112 |
|
el valor de la concentración |
T j =125℃ |
|
224 |
|
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
T j =25℃ |
|
850 |
|
R |
T j =125℃ |
|
1070 |
|
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
T j =25℃ |
|
48.0 |
|
mJ |
T j =125℃ |
|
96.0 |
|
Características térmicas ics
El símbolo |
Parámetro |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidades |
Barra θ JC, el otro |
Enlace a la caja (por IGB) T) |
|
19.7 |
K/kW |
Barra θ JC, el otro |
Enlace a la caja (por D) yodo) |
|
31.3 |
K/kW |
Barra θ CS |
En el caso de los productos de la categoría M2 o M3, el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M2 y M3 será el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M3. (Mentir) |
8 |
|
K/kW |
Peso |
Peso Módulo |
1050 |
|
g |
EN
