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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD3600SGT120C4S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 3600A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 3600A.

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Controladores de inversores de CA
  • Suministro de energía ininterrumpible
  • Aerogeneradores

En absoluto Máximo Calificaciones T C=25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

DESCRIPCIÓN

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Unidades

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo C

@ T C=25

@ T C=80

4800

R

3600

Yo Cm (1)

Corriente Colectora Pulsada t p = 1 ms

7200

R

Yo F

Diodo de corriente continua hacia adelante

3600

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente directa máxima del diodo alquiler

7200

R

PG

Disipación de potencia máxima @ T j =175

16.7

kW

T jmax

Temperatura máxima de unión

175

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

V ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaje

Terminal de señal Tornillo:M4

1.8 a 2.1

Tornillo de terminal de potencia:M8

8.0 a 10

Nuevo Méjico

Par

Montaje Tornillo:M6

4.25 a 5.75

Eléctrico Características de El IGBT T C=25 a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V (BR )El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

T j =25

1200

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T j =25

5.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas

Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25

400

nA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas

Tensión

Yo C=145el número de ,V CE =V GE ,T j =25

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo Cel valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables. GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25

1.70

2.15

V

Yo Cel valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles renovables. GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125

2.00

2.45

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

PG

Cargo por puerta

V GE =- 15...+15V

35.0

el valor de la concentración

Barra El ginto

Resistor de puerta interno

T j =25

0.5

ω

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=3600A, Barra ¿ Qué pasa? = 0,8Ω,

Barra - ¿ Qué? =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =25

600

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

235

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

825

el Consejo

t f

Tiempo de caída

145

el Consejo

Eactivado

Enciende Pérdida de conmutación

/

mJ

Eoff

Pérdida de conmutación de apagado

/

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=3600A, Barra ¿ Qué pasa? = 0,8Ω,

Barra - ¿ Qué? =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =125

665

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

215

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

970

el Consejo

t f

Tiempo de caída

180

el Consejo

Eactivado

Enciende Pérdida de conmutación

736

mJ

Eoff

Pérdida de conmutación de apagado

569

mJ

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f=1MHz, V GE el valor de la energía de la corriente

258

nF (número de trabajo)

Ces

Capacidad de salida

13.5

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa

Capacidad

11.7

nF (número de trabajo)

Yo SC

Datos de la SC

t S C10 μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125,V CC =900V, V El CEM 1200V

14000

R

CCE

Inductividad de alejamiento

10

nH

Barra CC ’+EE

Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip

0.12

m ω

Eléctrico Características de Diodo T C=25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante

Tensión

Yo F =3600A

T j =25

1.65

2.15

V

T j =125

1.65

2.15

Pbarra

Cargo recuperado

Yo F =3600A,

V Barra el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

Barra ¿ Qué pasa? = 0,8Ω,

V GE =- 15V

T j =25

360

el valor de la concentración

T j =125

670

Yo RM

Recuperación inversa Actual

T j =25

2500

R

T j =125

3200

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

T j =25

97

mJ

T j =125

180

Características térmicas las tics

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

Máx.

Unidades

Barra θ JC, el otro

Enlace a la caja (por IGB) T)

9.0

K/kW

Barra θ JC, el otro

Enlace a la caja (por Dio) de)

15.6

K/kW

Barra θ CS

En el caso de los equipos de la categoría M2

(Grasa conductiva aplicada, por M ódulo)

4

K/kW

Peso

Peso de Módulo

2250

g

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