|   El símbolo  |   Características  |   Condiciones de ensayo  | Tj( ℃ ) | Valor  |   Unidad  | 
| Mín  | Tipo  | Máx  | 
| IT(AV)  | Corriente media en estado de conducción  | 180。media onda sinusoidal 50Hz Enfriado por un lado,Tc=85   ℃  |   125 |   |   | 400 | A  | 
| IT(RMS)  | Corriente de estado en RMS    |   |   | 628 | A  | 
| No puedo no puedo  | Corriente pico repetitiva  | en VDRM en VRRM  | 125 |   |   | 100 | el número de  | 
| Yo TSM  | Corriente de sobrecarga en estado de conducción  | onda sinusoidal de medio ciclo VR=60%VRRM    |   125 |   |   | 8 | kA  | 
| Yo 2t    | I2t para coordinación de fusibles  |   |   | 320 | A 2s* 10 3 | 
| V   A  | Voltaje de umbral  |   |   125 |   |   | 0.83 | V    | 
| rT  | Resistencia de pendiente en estado de conducción  |   |   | 0.72 | mΩ  | 
| V   TM  | Voltaje pico en estado de conducción  | ITM= 1200A    | 25 |   |   | 2.40 | V    | 
| dv/dt  | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto  | VDM=67%VDRM  | 125 |   |   | 800 | V/μs  | 
| di/dt  | Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido  | Fuente de puerta 1.5A    tr ≤0.5μs Repetitivo    | 125 |   |   | 200 | A/μs  | 
| ¿Qué es eso?  | Cargo por recuperación  | ITM=300A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V    | 125 |   | 650 |   | el valor de la concentración  | 
| tq  | Tiempo de apagado conmutado por circuito  | ITM=300A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs    | 125 | 15 |   | 35 | μs  | 
| IGT  | Corriente de disparo de puerta  |   El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.  |   25 | 30 |   | 200 | el número de  | 
| Vgt.  | Voltaje de disparo de puerta  | 0.8 |   | 3.0 | V    | 
| IH  | Corriente de mantenimiento  | 10 |   | 200 | el número de  | 
| VGD  | Voltaje de puerta no disparado  | VDM=67%VDRM  | 125 |   |   | 0.2 | V    | 
| Rth(j-c)  | Resistencia térmica unión a carcasa  | Enfriado por un lado por chip  |   |   |   | 0.065 | ℃  /W | 
| Rth(c-h)  | Resistencia térmica de la caja al disipador  | Enfriado por un lado por chip  |   |   |   | 0.023 | ℃  /W | 
| VISO (en inglés)  | Voltaje de aislamiento  | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)    |   | 2500 |   |   | V    | 
|   - ¿ Qué?  | Par de conexión del terminal (M10)  |   |   |   | 12.0 |   | Nuevo Méjico  | 
| Par de montaje (M6)  |   |   |   | 6.0 |   | Nuevo Méjico  | 
| TVj  | Temperatura de unión  |   |   | -40 |   | 115 | ℃  | 
| TSTG  | Temperatura almacenada  |   |   | -40 |   | 115 | ℃  | 
| El  | Peso  |   |   |   | 1500 |   | g. El  | 
| Esquema  | 416F3    |