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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD1000HFA120C6S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 1000A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 1000A.

Características

  • Bajo V CE (sat) IGBT de trinchera T tecnología
  • Capacidad de cortocircuito
  • V CE (sat ) con positivo temperatura coeficiente
  • Máximo temperatura de unión 175a C
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave fWD antiparalelo
  • Aislado cobre el pinfin placa de base uso El número de personas tecnología

Típico Aplicaciones

  • Vehículo Híbrido y Eléctrico
  • Inversores para motor de transmisión
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo CN

El colector Cu implementado renta

1000

R

Yo C

Corriente Colectora @ T F =75a C

765

R

Yo Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

2000

R

PG

Disposición máxima de energía ation @ T F =75a C,T j =175a C

1515

R

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

Yo FN

El colector Cu implementado renta

1000

R

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

765

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

2000

R

Yo FSM

Corriente de avance de sobretensión t p =10ms @ T j =25a C @T j =150C

4100

3000

R

Yo 2t

Yo 2t-valor,t p =10ms@T j =25C @T j =150C

84000

45000

R 2s

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T jmax

Temperatura máxima de unión

175

a C

T el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

a C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

a C

V ISO

Voltaje de Aislamiento RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

El IGBT Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo C=1000A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C

1.45

1.90

V

Yo C=1000A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C

1.65

Yo C=1000A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =175a C

1.80

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C=24.0el número de ,V CE =V GE , T j =25a C

5.5

6.3

7.0

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T j =25a C

1.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

0.5

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f = 100 kHz, V GE el valor de la energía de la corriente

51.5

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.36

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V GE el valor de la carga de la corriente eléctrica

13.6

el valor de la concentración

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C= 900A, Barra G=0.51Ω, L S =40nH, V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T j =25a C

330

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

140

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

842

el Consejo

t f

Tiempo de caída

84

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

144

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

87.8

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C= 900A, Barra G=0.51Ω, L S =40nH, V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T j =125a C

373

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

155

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

915

el Consejo

t f

Tiempo de caída

135

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

186

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

104

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C= 900A, Barra G=0.51Ω, L S =40nH, V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T j =175a C

390

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

172

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

950

el Consejo

t f

Tiempo de caída

162

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

209

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

114

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤8μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =150a C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM 1200V

3200

R

t P≤ 6 μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =175a C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM 1200V

3000

R

Diodo Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante Tensión

Yo F =1000A,V GE =0V,T j =25a C

1.60

2.05

V

Yo F =1000A,V GE =0V,T j =125a C

1.70

Yo F =1000A,V GE =0V,T j =175a C

1.60

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, CS =40nH ,T j =25a C

91.0

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

441

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

26.3

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, CS =40nH ,T j =125a C

141

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

493

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

42.5

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, CS =40nH ,T j =175a C

174

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

536

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

52.4

mJ

NTC Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de Barra 100

T C=100 a C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

CCE

Inductividad de alejamiento

20

nH

Barra CC+EE

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.80

Barra el JF

Unión -a -Enfriamiento El fluido (perIGBT )Unión a Líquido de Enfriamiento (por Di iodo) V/ t=10,0 dM 3/mIN ,T F =75a C

0.066 0.092

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje El tornillo M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

400

g

Esquema

image(c537ef1333).png

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