EK6-Serie Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungsbaugruppen 
Maximale Betriebstemperatur der Sperrschicht: 175 °C;
Hohe Leistungsdichte und geringe Schaltverluste;
Geeignet für Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen;
-
Parameterbereich:
V Ds : 650–1700 V
W D : 100–400 A
R DS(on) : 2,5–26 mΩ
Produktliste der EK6-Serie
| Produkt-Artikelnummer |
VDS |
RDS(on) bei 25 °C |
ID |
| SCE400N1200EK6B |
1200V |
4 mΩ |
400A |
| SCE 300N1200EK6 |
1200V |
5,3 mΩ |
300A |
| SCE 300N1200EK6B |
1200V |
5,3 mΩ |
300A |
| SCE 200N1200EK6 |
1200V |
8 mΩ |
200A |
| SCE 100N1200EK6 |
1200V |
16 mΩ |
100A |
| SCE 100N1200EK6B |
1200V |
16 mΩ |
100A |
| SCE 200N1700EK6 |
mit einer Leistung von |
13 mΩ |
200A |
| SCE 200N1700EK6F |
mit einer Leistung von |
13 mΩ |
200A |
SiC-Modul, Sechspack (Drehstrom)
Das SCE-MEK6-Modul enthält den 1200-V-Gen3-N-Kanal-SiC-MOSFET von SCE. Integrierter NTC-Temperatursensor
Eigenschaften
- Hohe Stromdichte
- Niedrig-induktives Design
- Niedrige Schaltverluste
- Hochfrequenzbetrieb
- Kein Ausschalt-Schwanzstrom beim MOSFET
- Normalerweise ausgeschaltet, fehlersichere Gerätefunktion
Anwendungen
- Anwendung bei Hochfrequenzschaltung
- DC/DC-Wandler
- DC-Lader für EV
- Schweißen
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
V Ds |
Dreckschlepp-Spannung |
- |
- |
1200 |
V |
V Gs |
Gate-Source-Spannung |
-10 |
- |
+22 |
V |
W DC |
Kontinuierlich DC Abflussstrom |
- |
400 |
- |
Ein |
W DRM |
Wiederholte Spitzen Ablass Cu rrent |
- |
800 |
- |
Ein |
T op ; T stg |
Betriebs- und Lagertemperaturbereich |
-40 |
- |
+150 |
。C |
L Streuwiderstand |
Streuinduktivität |
- |
- |
20 |
nH |
V isolierung |
Isolations-Prüfspannung (f = 50 Hz; t = 1 min) |
- |
3.0 |
- |
kV |
M |
Montagetorque für die Modulbefestigung Schraube M5 |
3.0 |
- |
6.0 |
Nm |
G |
Gewicht |
- |
300 |
- |
g |
R th JC |
Thermische Widerstand, Übergang zum Kühlkörper |
- |
0.12 |
- |
。C/W |
Absolut Maximal Kennwerte (bei T C =25°C es sei denn sonstige angegeben )
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
VDS |
Dreckschlepp-Spannung |
- |
- |
1200 |
V |
VGS |
Gate-Source-Spannung |
-10 |
- |
+22 |
V |
IDC |
Kontinuierlicher Gleichstrom-Drainstrom |
- |
400 |
- |
Ein |
IDRM |
Wiederholter Spitzen-Drainstrom |
- |
800 |
- |
Ein |
Oben; Tstg |
Betriebs- und Lagertemperaturbereich |
-40 |
- |
+150 |
。C |
LStray |
Streuinduktivität |
- |
- |
20 |
nH |
Schnüren |
Isolationsprüfspannung (f = 50 Hz; t = 1 min) |
- |
3.0 |
- |
kV |
M |
Montagetorque für Modulbefestigung, Schraube M5 |
3.0 |
- |
6.0 |
Nm |
G |
Gewicht |
- |
300 |
- |
g |
Rth JC |
Thermischer Widerstand, Übergang von der Sperrschicht zum Kühlkörper |
- |
0.12 |
- |
。C/W |
EN
