GD1200HFX170C3S,IGBT-Modul,Hochstrom-IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

1965

1200

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

2400

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

6.55

kW

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

1200

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

2400

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=1200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=1200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=1200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=48.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.6

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

142

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

3.57

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =25o C

700

nS

t r

Aufstiegszeit

420

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1620

nS

t f

Herbstzeit

231

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

616

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

419

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =125o C

869

nS

t r

Aufstiegszeit

495

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1976

nS

t f

Herbstzeit

298

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

898

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

530

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =150o C

941

nS

t r

Aufstiegszeit

508

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

2128

nS

t f

Herbstzeit

321

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

981

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

557

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

4800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =1200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =1200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =25o C

217

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

490

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

108

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =125o C

359

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

550

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

165

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =150o C

423

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

570

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

200

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.37

mΩ

R thJC

Junction – bis – Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Anschlussdrehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Gewicht aus Modul

1500

g