GD400SGY120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Sammler Aktuell @ T C=25o C

@ T C= 100o C

630

400

A

ICm

Pulsierend Sammler Aktuell t p =1ms

800

A

PD

Maximal Leistung Abgabe @ T j =175o C

2083

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

IF

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Höchsttemperatur der Kreuzung natur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 nach +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 nach +125

o C

V ISO

Isolation Spannung RMS , f=50 HZ , t=1 mINUTE

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE (sitz )

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC= 400A, V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC= 400A, V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC= 400A, V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC= 10.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Abschnittswert für den Sammler

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.9

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

1.16

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15V...+15V

3.11

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V, IC= 400A, R G=2.0Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

257

nS

t r

Aufstiegszeit

96

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

628

nS

t f

Herbstzeit

103

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

23.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

34.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V, IC= 400A, R G=2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

268

nS

t r

Aufstiegszeit

107

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

659

nS

t f

Herbstzeit

144

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

35.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

51.5

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V, IC= 400A, R G=2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

278

nS

t r

Aufstiegszeit

118

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

680

nS

t f

Herbstzeit

155

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

38.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

56.7

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

1600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF = 400A, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

IF = 400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V, IF = 400A,

– di /dt = 5000 A/μs, V GE =- 15V T j =25o C

38.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

285

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V, IF = 400A,

– di /dt = 5000 A/μs, V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

380

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

36.6

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V, IF = 400A,

– di /dt = 5000 A/μs, V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

399

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

41.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC ’+EE ’

Modulleiterwiderstand, Endpunkt an Chip

0.18

mΩ

R thJC

Junction – nach – Fall (pro IGBT )

Junction – nach – Fall (pro Diode )

0.072

0.095

K/W

R thCH

Fall – nach – Heizkessel (pro IGBT )

Fall – nach – Heizkessel (pro Diode )

Hülle-Heatsink (pro Modul)

0.018

0.023

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montage Drehmoment , Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

GEWICHT VON Modul

300

g