GD1200SGT120A3S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Die GD1200SGT120A3S

Einheiten

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

2100

1200

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1 ms

2400

A

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

1200

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

2400

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =1 75℃

7.61

kW

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

℃

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

T j =25 ℃

1200

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃

400

nA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =48 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 1200A,V GE =15V, T j =25 ℃

1.70

2.15

V

I C = 1200A,V GE =15V, T j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =1200A,

R Gon =1.8Ω, R Goff =0.62Ω, V GE =±15V,T j =25 ℃

550

nS

t r

Aufstiegszeit

230

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

830

nS

t k

Herbstzeit

160

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

/

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

/

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 1200A,

R Gon = 1.8Ω,R Goff =0.62Ω, V GE =±15V,T j =125 ℃

650

nS

t r

Aufstiegszeit

240

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

970

nS

t k

Herbstzeit

190

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

246

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

189

mJ

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

85.5

nF

C - Die

Ausgangskapazität

4.48

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

3.87

nF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15 V,

T j =125 °C,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

4800

A

R Gint

Interner Gate

Widerstand

1.9

ω

L CE

Streuinduktivität

15

nH

R CC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.10

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K = 1200A

T j =25 ℃

1.65

2.05

V

T j =125 ℃

1.65

Q r

Wiederhergestellt

Ladevorgang

I K = 1200A,

V R =600V,

R Gon =0.6Ω,

V GE =-15V

T j =25 ℃

112

μC

T j =125 ℃

224

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

T j =25 ℃

850

A

T j =125 ℃

1070

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

T j =25 ℃

48.0

mJ

T j =125 ℃

96.0

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

R θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

19.7

K/kW

R θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

31.3

K/kW

R θ CS

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung) (Lügen)

8

K/kW

Gewicht

Gewicht Modul

1050

g