GD200HFX120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C=90o C

297

200

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

400

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

937

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

IF

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

400

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V GE =15V, T j =125o C

2.00

IC=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

18.6

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

0.52

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

1.40

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

120

nS

t r

Aufstiegszeit

26

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

313

nS

t f

Herbstzeit

88

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

8.96

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

10.7

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

129

nS

t r

Aufstiegszeit

30

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

391

nS

t f

Herbstzeit

157

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

15.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

16.1

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

129

nS

t r

Aufstiegszeit

34

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

411

nS

t f

Herbstzeit

175

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

17.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

18.1

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

720

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

18.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

239

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.08

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

33.1

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

250

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.5

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

38.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

259

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

15

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.160

0.206

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.036

0.046

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g