GD100HFQ120C1SD, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

162

100

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

595

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

100

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

200

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=100A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=100A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

7.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

10.8

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.30

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.84

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=100A, R G=5,1Ω, V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =25o C

59

nS

t r

Aufstiegszeit

38

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

209

nS

t f

Herbstzeit

71

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

3.15

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=100A, R G=5,1Ω, V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =125o C

68

nS

t r

Aufstiegszeit

44

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

243

nS

t f

Herbstzeit

104

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

14.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

4.36

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=100A, R G=5,1Ω, V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =150o C

71

nS

t r

Aufstiegszeit

46

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

251

nS

t f

Herbstzeit

105

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

15.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

4.63

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

400

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V GE =-15V LS =45nH ,T vj =25o C

7.92

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

46.4

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.25

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V GE =-15V LS =45nH ,T vj =125o C

15.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

54.5

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.08

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V GE =-15V LS =45nH ,T vj =150o C

18.8

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

58.9

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.67

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

30

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.75

mΩ

R thJC

Junction – nach – Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.252 0.446

K/W

R thCH

Fall – nach – Heizkessel (proIGBT )Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.157 0.277 0.050

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

150

g