IGBT-Modul GD820HTA75P6HT Starpower

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

Ich CN

Implementierter Sammler Cu rrent

820

A

Ich C

Kollektorstrom @ T F =100o C

450

A

Ich Cm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1640

A

PD

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F =75o C T j =175o C

847

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE

750

V

Ich FN

Implementierter Sammler Cu rrent

820

A

Ich F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

A

Ich FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1640

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 minute

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

Ich C= 450 A, V GE =15V, T j =25o C

1.10

1.35

V

Ich C= 450 A, V GE =15V, T j =150o C

1.15

Ich C= 450 A, V GE =15V, T j =175o C

1.15

Ich C=820A,V GE =15V, T j =25o C

1.30

Ich C=820A,V GE =15V, T j =175o C

1.50

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ich C=12.9mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.5

6.5

7.0

V

Ich CES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

Ich GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C- Die

Ausgangskapazität

1.51

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.32

nF

F G

Gate-Ladung

V CE =400V,I C = 450 A, V GE =-15…+15V

4.77

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A, R G= 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, LS =24nH,

T j =25o C

315

nS

t r

Aufstiegszeit

61

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

729

nS

t f

Herbstzeit

70

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.4

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

18.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A, R G= 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, LS =24nH,

T j =150o C

338

nS

t r

Aufstiegszeit

74

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

826

nS

t f

Herbstzeit

151

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

20.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

25.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A, R G= 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, LS =24nH,

T j =175o C

343

nS

t r

Aufstiegszeit

77

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

846

nS

t f

Herbstzeit

171

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

25.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

27.3

mJ

Ich SC

SC-Daten

t P≤6μs, V GE =15V,

T j =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4500

A

t P≤3μs, V GE =15V,

T j =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3300

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

Ich F = 450 A, V GE =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

Ich F = 450 A, V GE =0V,T j =150o C

1.35

Ich F = 450 A, V GE =0V,T j =175o C

1.30

Ich F =820A,V GE =0V,T j =25o C

1.70

Ich F =820A,V GE =0V,T j =175o C

1.65

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=7760A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =25o C

10.1

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

287

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.83

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6300A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =150o C

25.6

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

341

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.32

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=5990A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =175o C

30.4

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

354

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.6

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.75

mΩ

p

Maximaler Kühldruck schönheit

T ausfallplatte <40o C

T ausfallplatte 40o C

(relativer Druck)

2.5 2.0

stab

R die

Junction -bis -Kühlung Wasser (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △V/ △t=10,0 dm 3/minute ,T F =75o C

0.103 0.169

0.118 0.194

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht aus Modul

750

g