GD650HFX170P1S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =650A,V GE =15V, T j =25 o C

1.90

2.35

V

I C =650A,V GE =15V, T j =125 o C

2.35

I C =650A,V GE =15V, T j =150 o C

2.45

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.3

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

72.3

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.75

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

5.66

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE =±15V,T j =25 o C

468

nS

t r

Aufstiegszeit

86

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

850

nS

t k

Herbstzeit

363

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

226

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

161

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE =±15V,T j = 125o C

480

nS

t r

Aufstiegszeit

110

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1031

nS

t k

Herbstzeit

600

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

338

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

226

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2,7Ω, V GE =±15V,T j = 150o C

480

nS

t r

Aufstiegszeit

120

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1040

nS

t k

Herbstzeit

684

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

368

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

242

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =650A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I K =650A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

I K =650A,V GE =0V,T j = 150o C

2.02

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

176

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

765

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

87.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

292

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

798

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

159

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

341

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

805

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

192

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

δR/R

Abweichung von R 100

T C = 100 o C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K