GD3600SGT120C4S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Die GD3600SGT120C4S

Einheiten

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

Ich C

@ T C=25℃

@ T C=80℃

4800

A

3600

Ich Cm (1)

Pulsierter Kollektorstrom t p = 1 ms

7200

A

Ich F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

3600

A

Ich FM

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

7200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175℃

16.7

kW

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montage

Signalanschluss Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Drehmoment

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

T j =25℃

1200

V

Ich CES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

Ich GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃

400

nA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ich C=145mA ,V CE =V GE ,T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ich C=3600A,V GE =15V, T j =25℃

1.70

2.15

V

Ich C=3600A,V GE =15V, T j =125℃

2.00

2.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

35.0

μC

R Gint

Interner Gate-Widerstand

T j =25℃

0.5

ω

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=3600A, R Gon =0.8Ω,

R Goff =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =25℃

600

nS

t r

Aufstiegszeit

235

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

825

nS

t f

Herbstzeit

145

nS

Eein

Einschalten Schaltverlust

/

mJ

Eaus

Ausschalt-Schaltverluste

/

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=3600A, R Gon =0.8Ω,

R Goff =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =125℃

665

nS

t r

Aufstiegszeit

215

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

970

nS

t f

Herbstzeit

180

nS

Eein

Einschalten Schaltverlust

736

mJ

Eaus

Ausschalt-Schaltverluste

569

mJ

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

258

nF

C- Die

Ausgangskapazität

13.5

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

11.7

nF

Ich SC

SC-Daten

t S C≤10μs,V GE =15V, T j =125℃,V CC =900V, V CEM ≤1200V

14000

A

LCE

Streuinduktivität

10

nH

R CC ’+EE ’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.12

m ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

Ich F =3600A

T j =25℃

1.65

2.15

V

T j =125℃

1.65

2.15

F r

Wiederhergestellte Ladung

Ich F =3600A,

V R =600V,

R Gon =0.8Ω,

V GE =- 15V

T j =25℃

360

μC

T j =125℃

670

Ich RM

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

T j =25℃

2500

A

T j =125℃

3200

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

T j =25℃

97

mJ

T j =125℃

180

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

R θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

9.0

K/kW

R θ JC

Junction-to-Case (pro Dio de)

15.6

K/kW

R θ CS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähiges Fett aufgetragen, pro M (siehe auch

4

K/kW

Gewicht

Gewicht aus Modul

2250

g