GD3600SGT120C4S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Die GD3600SGT120C4S

Einheiten

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

V

I C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

4800

Ein

3600

I CM (1)

Pulsierter Kollektorstrom t p = 1 ms

7200

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

3600

Ein

I FM

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

7200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =17 5℃

16.7

kW

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montage

Signalanschluss Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Drehmoment

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

T j =25 ℃

1200

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃

400

nA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =145 mA ,V CE = V GE ,T j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =3600A,V GE =15V, T j =25 ℃

1.70

2.15

V

I C =3600A,V GE =15V, T j =125 ℃

2.00

2.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

35.0

μC

R Gint

Interner Gate-Widerstand

T j =25 ℃

0.5

ω

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =3600A, R Gon =0.8Ω,

R Goff =0.2Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 ℃

600

nS

t r

Aufstiegszeit

235

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

825

nS

t f

Herbstzeit

145

nS

E auf

Einschalten Schaltverlust

/

mJ

E aus

Ausschalt-Schaltverluste

/

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =3600A, R Gon =0.8Ω,

R Goff =0.2Ω,

V GE = ± 15V,T j =125 ℃

665

nS

t r

Aufstiegszeit

215

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

970

nS

t f

Herbstzeit

180

nS

E auf

Einschalten Schaltverlust

736

mJ

E aus

Ausschalt-Schaltverluste

569

mJ

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

258

nF

C - Die

Ausgangskapazität

13.5

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

11.7

nF

I SC

SC-Daten

t S C ≤ 10μs,V GE =15V, T j =125 ℃ ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

14000

Ein

L CE

Streuinduktivität

10

nH

R CC ’+ EE ’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.12

m ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =3600A

T j =25 ℃

1.65

2.15

V

T j =125 ℃

1.65

2.15

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F =3600A,

V R =600V,

R Gon =0.8Ω,

V GE =- 15V

T j =25 ℃

360

μC

T j =125 ℃

670

I RM

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

T j =25 ℃

2500

Ein

T j =125 ℃

3200

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

T j =25 ℃

97

mJ

T j =125 ℃

180

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

R θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

9.0

K/kW

R θ JC

Junction-to-Case (pro Dio de)

15.6

K/kW

R θ CS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähiges Fett aufgetragen, pro M (siehe auch

4

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

2250

g