GD900SGF120A3SN,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1466

900

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1800

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175 o C

5.34

kW

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

900

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1800

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =900A,V GE =15V, T vj =25 o C

2.00

2.45

V

I C =900A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.50

I C =900A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.65

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =32.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.44

ω

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =25 o C

520

nS

t r

Aufstiegszeit

127

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

493

nS

t k

Herbstzeit

72

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

76.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

85.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =125 o C

580

nS

t r

Aufstiegszeit

168

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

644

nS

t k

Herbstzeit

89

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

127

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

98.5

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =150 o C

629

nS

t r

Aufstiegszeit

176

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

676

nS

t k

Herbstzeit

96

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

134

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

99.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =900A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.95

2.40

V

I K =900A,V GE =0V,T vj =125 o C

2.00

I K =900A,V GE =0V,T vj =150 o C

2.05

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =25 o C

80

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

486

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

35.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =125 o C

153

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

510

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

64.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =150 o C

158

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

513

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

74.0

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

12

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.19

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

28.1 44.1

K/kW

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

9.82 15.4 6.0

K/kW

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Anschlussdrehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Gewicht von Modul

1050

g