GD900SGX120C2SA_B20,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1410

900

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1800

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T =175o C

5000

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=900A,V GE =15V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IC=900A,V GE =15V, T j =125o C

2.10

IC=900A,V GE =15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=22.5mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.6

ω

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15V...+15V

7.40

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE =±15V,T j =25o C

257

nS

t r

Aufstiegszeit

96

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

628

nS

t f

Herbstzeit

103

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

43

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

82

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE =±15V,T j = 125o C

268

nS

t r

Aufstiegszeit

107

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

659

nS

t f

Herbstzeit

144

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

59

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

118

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE =±15V,T j = 150o C

278

nS

t r

Aufstiegszeit

118

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

680

nS

t f

Herbstzeit

155

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

64

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

134

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V,

V CEM ≤ 1200 V

3600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.71

2.16

V

IF =900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.74

IF =900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.75

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

76

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

513

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.0

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

143

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

684

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

71.3

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

171

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

713

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

80.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.030

0.052

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g