GD720HTA120P6HT,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

720

A

I C

Kollektorstrom @ T K =65 o C

600

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1440

A

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T K = 75 o C T vj =175 o C

1204

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE

1200

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

720

A

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

600

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1440

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, T vj =25 o C

1.50

V

I C = 600 A, V GE =15V, T vj =150 o C

1.80

I C = 600 A, V GE =15V, T vj =175 o C

1.85

I C =720A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.60

I C =720A,V GE =15V, T vj =175 o C

2.05

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

6.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.67

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

48.7

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.55

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.26

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =800V,I C =600A, V GE =-8...+15V

3.52

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C

208

nS

t r

Aufstiegszeit

65

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

505

nS

t k

Herbstzeit

104

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

77.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

62.2

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =150 o C

225

nS

t r

Aufstiegszeit

75

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

567

nS

t k

Herbstzeit

191

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

110

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

83.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =800V,I C = 600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =175 o C

226

nS

t r

Aufstiegszeit

77

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

583

nS

t k

Herbstzeit

203

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

118

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

85.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤4μs, V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K = 600 A, V GE =0V,T vj =2 5o C

1.95

V

I K = 600 A, V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

I K = 600 A, V GE =0V,T vj =175 o C

1.90

I K =720A,V GE =0V,T vj =2 5o C

2.05

I K =720A,V GE =0V,T vj =175 o C

2.05

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =800V,I K = 600A,

-di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =25 o C

44.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

346

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =800V,I K = 600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =150 o C

73.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

385

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

27.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =800V,I K = 600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =175 o C

80.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

392

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

30.7

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.75

mΩ

p

Maximaler Kühldruck schönheit

T ausfallplatte < 40 o C

T ausfallplatte 40o C

(relativer Druck)

2.5 2.0

stange

R die

Junction -bis zu -Kühlung Wasser (proIGBT )Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode) △ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T K = 75 o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht von Modul

750

g