GD275MJS120L6S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

ICN

Implementierter Kollektor C strom

275

A

IC

Kollektorstrom @ T C=100o C

110

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

450

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IFN

Implementierter Vorwärtsstrom ent

275

A

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

450

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IFN

Implementierter Vorwärtsstrom ent

275

A

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

225

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

450

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IFN

Implementierter Vorwärtsstrom ent

275

A

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

450

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

3200

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=225A,V GE =15V, T j =25o C

2.00

2.45

V

IC=225A,V GE =15V, T j =125o C

2.70

IC=225A,V GE =15V, T j =150o C

2.90

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=9.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.7

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

38.1

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.66

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

2.52

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =25o C

154

nS

t r

Aufstiegszeit

45

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

340

nS

t f

Herbstzeit

76

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

13.4

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

8.08

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =125o C

160

nS

t r

Aufstiegszeit

49

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

388

nS

t f

Herbstzeit

112

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.6

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

11.2

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =150o C

163

nS

t r

Aufstiegszeit

51

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

397

nS

t f

Herbstzeit

114

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

18.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Qr

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V GE = 8V LS =36nH ,T j =25o C

20.1

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

250

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.84

mJ

Qr

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V GE = 8V LS =36nH ,T j =125o C

32.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

277

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.5

mJ

Qr

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE = 8V LS =36nH ,T j =150o C

39.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

288

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Qr

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V GE = 8V LS =30nH ,T j =25o C

18.6

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

189

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.62

mJ

Qr

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE = 8V LS =30nH ,T j =125o C

34.1

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

250

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.4

mJ

Qr

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE = 8V LS =30nH ,T j =150o C

38.9

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

265

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.2

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistungsverlust

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

15

nH

R thJC

Verbindungshalter zu Gehäuse (pro T1 -T4 IGBT) Verbindungshalter zu Gehäuse (pro D1/D4 D (in der Regel Verbindungshalter zu Gehäuse (pro D2/D3 D (in der Regel Verbindungshalter zu Gehäuse (pro D5/D6 D (in der Regel

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R thCH

Gehäuse zu Kühler (pro T 1-T4 IGBT) Gehäuse zu Kühler (pro D1/D4 DIODE) Gehäuse zu Kühler (pro D2/D3 DIODE) Gehäuse zu Kühler (pro D5/D6 DIODE)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

M

Montagedrehmoment, Schraube: M5

3.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

250

g