GD275MJS120L6S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Kollektor C strom

275

A

I C

Kollektorstrom @ T C =100 o C

110

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

450

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I FN

Implementierter Vorwärtsstrom ent

275

A

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

450

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I FN

Implementierter Vorwärtsstrom ent

275

A

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

225

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

450

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I FN

Implementierter Vorwärtsstrom ent

275

A

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

450

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

3200

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =225A,V GE =15V, T j =25 o C

2.00

2.45

V

I C =225A,V GE =15V, T j =125 o C

2.70

I C =225A,V GE =15V, T j =150 o C

2.90

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =9,00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.7

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

38.1

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.66

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

2.52

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,T j =25 o C

154

nS

t r

Aufstiegszeit

45

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

340

nS

t k

Herbstzeit

76

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

13.4

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

8.08

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,T j =125 o C

160

nS

t r

Aufstiegszeit

49

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

388

nS

t k

Herbstzeit

112

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

11.2

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =225A, R G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,T j =150 o C

163

nS

t r

Aufstiegszeit

51

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

397

nS

t k

Herbstzeit

114

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

18.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.60

2.05

V

I K =300A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.60

I K =300A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.60

Q r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I K =225A,

-di/dt=5350A/μs,V GE = 8V L S =36 nH ,T j =25 o C

20.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

250

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.84

mJ

Q r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I K =225A,

-di/dt=5080A/μs,V GE = 8V L S =36 nH ,T j =125 o C

32.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

277

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.5

mJ

Q r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I K =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE = 8V L S =36 nH ,T j =150 o C

39.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

288

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =225A,V GE =0V,T j =25 o C

1.60

2.05

V

I K =225A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.60

I K =225A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.60

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.60

2.05

V

I K =300A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.60

I K =300A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.60

Q r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I K =225A,

-di/dt=5050A/μs,V GE = 8V L S =30 nH ,T j =25 o C

18.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

189

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.62

mJ

Q r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I K =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE = 8V L S =30 nH ,T j =125 o C

34.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

250

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.4

mJ

Q r

Wiederhergestellt Ladevorgang

V R =600V,I K =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE = 8V L S =30 nH ,T j =150 o C

38.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

265

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.2

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistungsverlust

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

R thJC

Verbindungshalter zu Gehäuse (pro T1 -T4 IGBT) Verbindungshalter zu Gehäuse (pro D1/D4 D (in der Regel Verbindungshalter zu Gehäuse (pro D2/D3 D (in der Regel Verbindungshalter zu Gehäuse (pro D5/D6 D (in der Regel

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R thCH

Gehäuse zu Kühler (pro T 1-T4 IGBT) Gehäuse zu Kühler (pro D1/D4 DIODE) Gehäuse zu Kühler (pro D2/D3 DIODE) Gehäuse zu Kühler (pro D5/D6 DIODE)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

M

Montagedrehmoment, Schraube: M5

3.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

250

g