GD225HFX170C6S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

Ich C

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

396

225

A

Ich Cm

Pulsierter Kollektorstrom t p = 1 ms

450

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

1530

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

V

Ich F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

225

A

Ich FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

450

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ich C=225A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

Ich C=225A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

Ich C=225A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ich C=9.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ich CES

Sammler Geschnitten -Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Ich GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.8

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

27.1

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

0.66

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

2.12

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T j =25o C

187

nS

t r

Aufstiegszeit

76

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

587

nS

t f

Herbstzeit

350

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

56.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

52.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T j = 125o C

200

nS

t r

Aufstiegszeit

85

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

693

nS

t f

Herbstzeit

662

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

75.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

80.9

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T j = 150o C

208

nS

t r

Aufstiegszeit

90

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

704

nS

t f

Herbstzeit

744

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

82.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

87.7

mJ

Ich SC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

900

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

Ich F =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Ich F =225A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

Ich F =225A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

63.0

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

352

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

37.4

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

107

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

394

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

71.0

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

121

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

385

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

82.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

δR/R

Abweichung aus R 100

T C= 100 o C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.098

0.158

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.029

0.047

0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

350

g