IGBT-Modul, 1200V 300A, Gehäuse: C6.1
Kurze Vorstellung
IGBT-Modul ,von Stärken .1200V 300A.
Merkmale
Niedriges V CE(sat) Trench IGB T-Technologie
10 μs Kurzschluss fähigkeit
V CE (sitz ) mit positiv temperatur koeffizient
Maximal junction-Temperatur 175o C
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsregeneration fWD gegen Parallel
Isolierte Kupferbasis mit DBC-Technologie
Typische Anwendungen
Wechselrichter für Motorantrieb
Wechselstrom- und Gleichstromservo antrieb verstärker ein
Ununterbrochene Stromversorgung
Absolut Maximal Kennwerte T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Wert |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
IC |
Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C |
496 300 |
A |
ICm |
Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms |
600 |
A |
PD |
Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C |
1685 |
W |
Diode
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Wert |
Einheit |
V RRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter |
1200 |
V |
IF |
Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent |
300 |
A |
IFM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms |
600 |
A |
Modul
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Wert |
Einheit |
T jmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
o C |
T - Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
o C |
T Stg |
Lagerungstemperaturbereich |
-40 bis +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
V CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
IC=300A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V |
IC=300A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
|||
IC=300A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
|||
V GE (th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
IC=12.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Sammler Geschnitten – Aus Aktuell |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interner Gate-Widerst and |
|
|
2.5 |
|
ω |
Cies |
Eingangskapazität |
V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
|
31.1 |
|
nF |
Cres |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.87 |
|
nF |
|
F G |
Gate-Ladung |
V GE =-15 ...+15V |
|
2.33 |
|
μC |
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, T j =25o C |
|
313 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
57 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
464 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
206 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
9.97 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
28.6 |
|
mJ |
|
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, T j =125o C |
|
336 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
66 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
528 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
299 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
21.1 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
36.6 |
|
mJ |
|
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, T j =150o C |
|
345 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
68 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
539 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
309 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
25.6 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
37.8 |
|
mJ |
|
|
ISC |
SC-Daten |
t P≤10μs, V GE =15V, T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V |
|
1200 |
|
A |
Diode Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
|
V F |
Diodenvorwärts Spannung |
IF =300A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
IF =300A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
|||
IF =300A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
|||
F r |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F =300A, -di/dt=6950A/μs,V GE = 15 V, T j =25o C |
|
10.8 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
272 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
9.53 |
|
mJ |
|
F r |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F =300A, -di/dt=6090A/μs,V GE = 15 V, T j =125o C |
|
24.2 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
276 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
18.4 |
|
mJ |
|
F r |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F =300A, -di/dt=5440A/μs,V GE = 15 V, T j =150o C |
|
33.6 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
278 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
20.6 |
|
mJ |
NTC Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
R 25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Abweichung aus R 100 |
T C=100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Leistung Abgabe |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
LCE |
Streuinduktivität |
|
20 |
|
nH |
R CC’+EE’ |
Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction – nach – Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
|
|
0.089 0.150 |
K/W |
|
R thCH |
Fall – nach – Heizkessel (proIGBT ) Gehäuse-Heatsink (pro Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul) |
|
0.029 0.048 0.009 |
|
K/W |
M |
Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Gewicht aus Modul |
|
350 |
|
g |
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