Kurze Einführung
IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 300A.
Eigenschaften
Niedriges V CE(sat) Trench IGB T-Technologie
10 μs Kurzschluss fähigkeit
V CE (sitz ) mit positiv temperatur koeffizient
Maximal junction-Temperatur 175o C
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsregeneration fWD gegen Parallel
Isolierte Kupferbasis mit DBC-Technologie
Typische Anwendungen
Wechselrichter für Motorantrieb
Wechselstrom- und Gleichstromservo antrieb verstärker ein
Ununterbrochene Stromversorgung
Absolut Maximal Kennwerte T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
W C |
Kollektorstrom @ T C =25o C @ T C =100o C |
496
300
|
Ein |
W CM |
Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms |
600 |
Ein |
P D |
Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C |
1685 |
W |
Diode
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V RRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter |
1200 |
V |
W F |
Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent |
300 |
Ein |
W FM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms |
600 |
Ein |
Modul
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
T jmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
o C |
T - Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
o C |
T Stg |
Lagerungstemperaturbereich |
-40 bis +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
V CE(sat)
|
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung
|
W C =300A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
W C =300A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
W C =300A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
W C =12.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
W CES |
Sammler Geschnitten -Aus Aktuell |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
W GES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interner Gate-Widerst and |
|
|
2.5 |
|
ω |
C ies |
Eingangskapazität |
V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
|
31.1 |
|
nF |
C res |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.87 |
|
nF |
Q G |
Gate-Ladung |
V GE =-15 ...+15V |
|
2.33 |
|
μC |
t d (bei ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
313 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
57 |
|
nS |
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
464 |
|
nS |
t f |
Herbstzeit |
|
206 |
|
nS |
E bei |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
9.97 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
28.6 |
|
mJ |
t d (bei ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, T j =125o C
|
|
336 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
66 |
|
nS |
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
528 |
|
nS |
t f |
Herbstzeit |
|
299 |
|
nS |
E bei |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
21.1 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
36.6 |
|
mJ |
t d (bei ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, T j =150o C
|
|
345 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
68 |
|
nS |
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
539 |
|
nS |
t f |
Herbstzeit |
|
309 |
|
nS |
E bei |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
25.6 |
|
mJ |
E aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
37.8 |
|
mJ |
|
W SC
|
SC-Daten
|
t P ≤10μs, V GE =15V,
T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V
|
|
1200
|
|
Ein
|
Diode Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheiten |
|
V F
|
Diodenvorwärts Spannung |
W F =300A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
W F =300A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
W F =300A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F =300A,
-di/dt=6950A/μs,V GE = 15 V, T j =25o C
|
|
10.8 |
|
μC |
W RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
272 |
|
Ein |
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
9.53 |
|
mJ |
Q r |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F =300A,
-di/dt=6090A/μs,V GE = 15 V, T j =125o C
|
|
24.2 |
|
μC |
W RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
276 |
|
Ein |
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
18.4 |
|
mJ |
Q r |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F =300A,
-di/dt=5440A/μs,V GE = 15 V, T j =150o C
|
|
33.6 |
|
μC |
W RM |
Spitzenrückwärts
Rückgewinnungsstrom
|
|
278 |
|
Ein |
E erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
20.6 |
|
mJ |
NTC Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
R 25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Abweichung aus R 100 |
T C =100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Leistung
Abgabe
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Eigenschaften T C =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
L CE |
Streuinduktivität |
|
20 |
|
nH |
R CC’+EE’ |
Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction -zu -Fallstudie (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
|
|
0.089 0.150 |
K/W |
|
R thCH
|
Fallstudie -zu -Heizkessel (proIGBT ) Gehäuse-Heatsink (pro Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul) |
|
0.029 0.048 0.009 |
|
K/W |
M |
Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Gewicht aus Modul |
|
350 |
|
g |
EN
